公开(公告)号：CN1512548A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310123023.3

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN1308773C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410037297.5

申请日：2004-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  野中龙 ,  光冈一行

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J2237/3156

Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置(1)，包括在真空室(2)内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台(3)、设置在真空室(2)顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构(6)、和设置在载置台(3)和电子束照射机构(6)之间的自电场发生装置(13)。该自电场发生装置(13)由多个与电子束照射机构(6)的照射窗(6b)一一对应地配置的带电板(13a)构成，该带电板(13a)为平板状，在与照射窗(6b)相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝(13b)，同时，还具有由导体构成的内部部件(13c)、由覆盖该内部部件(13c)的绝缘体构成的外部部件(13d)和将内部部件(13c)接地的导线(13e)。

公开(公告)号：CN1550903A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410037297.5

申请日：2004-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  野中龙 ,  光冈一行

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J2237/3156

Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置1，包括在真空室2内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台3、设置在真空室2顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构6、和设置在载置台3和电子束照射机构6之间的自电场发生装置13。该自电场发生装置13由多个与电子束照射机构6的照射窗6b一一对应地配置的带电板13a构成，该带电板13a为平板状，在与照射窗6b相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝13b，同时，还具有由导体构成的内部部件13c、由覆盖该内部部件13c的绝缘体构成的外部部件13d和将内部部件13c接地的导线13e。

公开(公告)号：CN100380593C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200610001791.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  B05D3/06

Abstract: 为了能够可靠地除去被处理体中积蓄的电荷，本发明提供一种薄膜处理系统，包括：电荷量测定部件，测定被处理体的薄膜上带电电荷量；以及电子束处理装置，具有将电子束照射到所述被处理体上并除去所述电荷的多个电子束管，其特征在于：所述电子束处理装置具有：向处理容器内供给稀有气体的部件；以及根据所述电荷量测定部件的测定结果控制所述多个电子束管的输出或照射时间的控制装置，通过向所述处理容器内供给的稀有气体，将电子束照射到所述被处理体上。由此，可以获得均匀的薄膜处理。

公开(公告)号：CN1534732A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030916.8

申请日：2004-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  本多稔 ,  康松润 ,  斋藤祐介

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明提供一种电子束处理方法，它是使用电子束来处理形成在晶片表面上的SOD膜的方法，其中，经由甲烷气体将电子束照射在SOD膜上。在专利文献1、2中提出的固化方法的情况下，都可以利用电子束使有机材料膜的表面层部固化来改善机械强度，但会使有机材料膜的k值恶化，并且构成有机材料的甲基分解，导致湿洗净时的耐药品性降低。

公开(公告)号：CN101521152A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910006588.0

申请日：2009-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  村松诚 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/316 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明提供能够一边保持基板的凹凸，一边以比堆积技术低的成本以及高生产率来形成保形的膜，并形成图形的图形形成方法以及半导体装置的制造方法。该图形形成方法包括以下工序：在具有凹凸的基底层上沿着该基底层的凹凸形成催化剂膜(3)的工序；在催化剂膜(3)上涂布流动性材料而形成涂布膜(4)的工序；使涂布膜(3)沿着催化剂膜(4)进行反应，在涂布膜(4)内形成不溶解于溶剂中的不溶化层(5)工序；以及使用溶剂除去涂布膜(4)的未反应部分，而残留下不溶化层(5)的工序。

公开(公告)号：CN1808695A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610001791.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  B05D3/06

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN1505115A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310116936.2

申请日：2003-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  大西正 ,  本多稔 ,  浅子龙一 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。

公开(公告)号：CN106920743B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201611185615.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸本洋 ,  河野央 ,  清濑浩巳 ,  中森光则 ,  光冈一行

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。

公开(公告)号：CN106920743A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611185615.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸本洋 ,  河野央 ,  清濑浩巳 ,  中森光则 ,  光冈一行

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/30 ,  H01L21/67023

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。