公开(公告)号：CN101276739A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086918.7

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  大西正 ,  野中龙 ,  西村荣一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括：收容晶片(W)的腔室(38)；配置在该腔室(38)内的底部上，放置晶片W的载置台(39)；配置在腔室(38)内的顶部，与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N2气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。

公开(公告)号：CN101266923A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085446.3

申请日：2008-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  藤井弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H05B3/143

Abstract: 本发明提供一种能够在同一处理室内急速地加热、冷却基板的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置(22)用于在处理室(41)内对基板W进行处理，其包括：在处理室(41)内支撑基板W的支撑部件(47)；与支撑部件(47)热接触的第一温度调节部件(75)；和能够相对于支撑部件(47)热接触以及隔离的第二温度调节部件(80)，第一温度调节部件(75)和第二温度调节部件(80)被温度调节至互相不同的温度。通过使第二温度调节部件(80)相对于支撑部件(47)热接触以及隔离而能够急速地加热、冷却支撑在支撑部件(47)上的晶片W。

公开(公告)号：CN1277294C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200310116936.2

申请日：2003-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  大西正 ,  本多稔 ,  浅子龙一 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。

公开(公告)号：CN1263097C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200310123023.3

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN101266924B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200810086086.9

申请日：2008-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其在同一处理室内能够迅速加热、冷却基板。该基板处理装置为通过化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜的基板处理装置(22a)，其包括：向处理室(41)内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构(100)；和在处理室(41)内，对基板(W)进行温度调节的第一温度调节部件(80)和第二温度调节部件(75)，第二温度调节部件(75)将基板(W)温度调节到比第一温度调节部件(80)高的温度。通过在同一处理室(41)内利用化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜，能够使基板处理装置(22a)小型化，也不需要用于复杂的搬送的复杂的搬送工序。此外，能够迅速加热、冷却基板(W)。

公开(公告)号：CN1512548A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310123023.3

申请日：2003-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学 ,  本多稔 ,  光冈一行 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。

公开(公告)号：CN101276739B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810086918.7

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  大西正 ,  野中龙 ,  西村荣一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括：收容晶片(W)的腔室(38)；配置在该腔室(38)内的底部上，放置晶片W的载置台(39)；配置在腔室(38)内的顶部，与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N2气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。

公开(公告)号：CN101546699A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129357.9

申请日：2009-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  户泽茂树 ,  村木雄介 ,  二藤孝文

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置和处理系统，即使增高热处理装置的加热温度，也能够充分抑制硅基板下表面的金属污染。在热处理硅基板(W)的热处理装置(4)中，具有载置并加热硅基板(W)的载置台(23)，在载置台(23)的上表面配置硅、碳化硅、氮化铝的任一种构成的盖体(35)。通过将载置台(23)的上表面由硅等盖体(35)覆盖，从而抑制硅基板(W)下表面的金属污染。

公开(公告)号：CN100511619C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200310121199.5

申请日：2003-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  滨学

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: 本发明涉及一种膜处理方法，其特征在于，包括：将电子束发射到被处理体的膜上以处理所述膜的处理工序；在上述处理工序中，在上述被处理体的附近捕捉电子束以作为电流值进行测量的电流测量工序；根据按时间对上述电流值积分得到的电子量检测出膜处理的终点的检测工序。根据本发明，可实现不会过多或不充分地对被处理体的膜发射电子束，从而可得到适当的膜质。

公开(公告)号：CN101266924A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810086086.9

申请日：2008-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其在同一处理室内能够迅速加热、冷却基板。该基板处理装置为通过化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜的基板处理装置(22a)，其包括：向处理室(41)内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构(100)；和在处理室(41)内，对基板(W)进行温度调节的第一温度调节部件(80)和第二温度调节部件(75)，第二温度调节部件(75)将基板(W)温度调节到比第一温度调节部件(80)高的温度。通过在同一处理室(41)内利用化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜，能够使基板处理装置(22a)小型化，也不需要用于复杂的搬送的复杂的搬送工序。此外，能够迅速加热、冷却基板(W)。