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公开(公告)号：CN102315151B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110185040.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/401 , C23C16/4582 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , Y10T156/17 , Y10T156/1702
Abstract: 本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
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公开(公告)号：CN1926663A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200580006516.6
申请日：2005-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/304
CPC classification number: G03F7/42 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板的加工方法，包括：在已经在基板上形成的待蚀刻的目标膜上依次形成Si－C基膜和抗蚀膜的步骤；利用抗蚀膜作为掩模蚀刻Si－C基膜的第一蚀刻步骤；和利用抗蚀膜和Si－C基膜作为掩模蚀刻待蚀刻的目标膜的第二蚀刻步骤。该加工方法进一步包括在所需时机剥离抗蚀膜的剥离步骤。剥离步骤包括制备作为脱模剂的有机溶剂的制备步骤，和在抗蚀膜上涂敷有机溶剂的涂敷步骤。
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公开(公告)号：CN100472730C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580045165.X
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/931
Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述积层体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
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公开(公告)号：CN100433248C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610067114.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F24F7/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有：向搬送室(200)内导入外气的供气部(230)、与供气部(230)相对地设置，排出搬送室(200)内气体的排气部(250)、设置在排气部(250)上，由至少除去排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器(256)构成的排气过滤机构(254)。
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公开(公告)号：CN113380618B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202110234823.0
申请日：2021-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 村木雄介
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，在交替地层叠有硅层和硅锗层的基板的处理中恰当地对作为绝缘膜的间隔膜进行去除。在交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板的处理方法中，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，所述基板处理方法包括以下工序：通过使用远程等离子体被进行了自由基化的含氧气体来在所述间隔膜的表层形成氧化膜；以及对所形成的所述氧化膜进行蚀刻去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841655A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067114.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F24F7/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有：向搬送室(200)内导入外气的供气部(230)、与供气部(230)相对地设置，排出搬送室(200)内气体的排气部(250)、设置在排气部(250)上，由至少除去排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器(256)构成的排气过滤机构(254)。
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公开(公告)号：CN113950735A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080043113.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 描述了一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法。该方法包括接收衬底，该衬底具有暴露金属层的工作表面并且具有至少一种暴露于该金属层或在该金属层下方的其他材料；以及通过将该衬底暴露于含有无水卤素化合物的受控气相环境，相对于该其他材料有差别地蚀刻该金属层。
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公开(公告)号：CN113380618A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110234823.0
申请日：2021-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 村木雄介
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，在交替地层叠有硅层和硅锗层的基板的处理中恰当地对作为绝缘膜的间隔膜进行去除。在交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板的处理方法中，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，所述基板处理方法包括以下工序：通过使用远程等离子体被进行了自由基化的含氧气体来在所述间隔膜的表层形成氧化膜；以及对所形成的所述氧化膜进行蚀刻去除。
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公开(公告)号：CN102315143A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110189199.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32779 , H01J2237/2001 , H01J2237/201 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。
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公开(公告)号：CN102315143B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110189199.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32779 , H01J2237/2001 , H01J2237/201 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少两片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有一个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。
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