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公开(公告)号：CN110268509B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880009405.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/3065 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种成膜系统，在表面形成有图案的基片上形成有机膜，包括：对基片进行有机膜形成处理来在基片上形成有机膜的有机膜形成部；测量基片上的有机膜的膜厚的膜厚测量部；和对基片上的有机膜进行紫外线照射处理来除去该有机膜的表面的紫外线处理部。在成膜系统中，有机膜形成部、膜厚测量部和紫外线处理部是沿基片的输送方向依次排列地设置。
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公开(公告)号：CN101510511A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910005640.0
申请日：2009-02-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 志村悟
IPC: H01L21/3213 , H01L21/768 , G03F7/00 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0338
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置，其不需要硬掩模就能够以高精度形成微细图案，并可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本。本发明为形成成为蚀刻掩模的规定形状的图案的方法，其具备以下工序：使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第1图案(106)的工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第1图案(106)接触而形成具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案(107)的工序；使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第2图案(108)的工序。
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公开(公告)号：CN106847729B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610862566.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN105074883B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480009698.1
申请日：2014-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/31 , H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02348 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05C11/1015 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。
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公开(公告)号：CN119343755A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045201.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117850175A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311251986.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/38
Abstract: 本发明提供能够抑制含金属抗蚀剂的覆膜的灵敏度降低，并且提高含金属抗蚀剂的图案的粗糙度的基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质。本发明的基片处理方法包括：对形成有含金属抗蚀剂的覆膜并实施了曝光处理的基片实施第一加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使所述含金属抗蚀剂前体化的步骤；之后，对所述基片实施第二加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使前体化了的所述含金属抗蚀剂缩合的步骤；和之后，对所述基片实施显影处理的步骤。
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公开(公告)号：CN103567169B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310334657.7
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 本发明提供基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN101510510A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910006955.7
申请日：2009-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/32 , H01L21/311 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L21/00 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成微细的图案，与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制造成本。该图案形成方法用于形成成为蚀刻掩膜的图案，包括：形成由光致抗蚀剂构成的第1图案(105)的工序；在第1图案(105)的侧壁部以及顶部形成边界层(106)的工序；覆盖边界层(106)的表面地形成第2掩膜材料层(107)的工序；为了使边界层(106)的顶部露出而除去第2掩膜材料层(107)的一部分的工序；蚀刻边界层(106)并将边界层(106)除去，形成由第2掩膜材料层(107)构成的第2图案的工序；减小第1图案和第2图案的宽度而形成规定宽度的修整工序。
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公开(公告)号：CN118800646A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410401377.1
申请日：2024-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/67 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种热处理方法、热处理装置以及计算机存储介质，能够抑制来自基板上的含金属的抗蚀剂的包含金属的升华物对基板或装置的污染，并且对基板进行良好的热处理。用于对形成有含金属的抗蚀剂的覆膜、且被进行了曝光处理的基板进行加热处理的热处理方法包括持续规定时间地以不会从所述含金属的抗蚀剂的覆膜产生包含金属的升华物的加热温度对所述基板进行加热的加热工序，在所述加热工序中，将二氧化碳和水分中的至少任一方的浓度相比于大气而言高的、用于促进所述含金属的抗蚀剂的覆膜内的反应的反应性流体供给到所述基板的周围的处理空间。
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公开(公告)号：CN112585721A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980053577.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , B05D1/38 , B05D3/00 , G03F7/11 , G03F7/38
Abstract: 本发明的对处理对象基片进行处理的基片处理方法，包括如下所述的工序：在形成于上述处理对象基片的基片表面的基底膜上涂敷用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液之前，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性高的情况下，进行使上述基底膜的极性降低的处理，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性低的情况下，进行使上述基底膜的极性升高的处理。
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