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公开(公告)号：CN118380359A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410046194.2
申请日：2024-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。
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公开(公告)号：CN118818893A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410434702.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、基板处理装置以及基板处理方法，使通过含金属的抗蚀膜的形成、曝光以及显影等处理形成的图案的线宽在基板组之间均匀化。基板处理系统对基板进行图案形成，所述基板处理系统由被依次搬送用于收容所述基板的搬送容器的多个装置构成，所述基板处理系统具备：第一装置，其构成所述多个装置中的一个装置，用于在所述基板形成含金属的抗蚀膜；第二装置，其构成所述多个装置中的另一个装置，用于对被进行了曝光的所述含金属的抗蚀膜进行显影；以及气氛调整部，其将被进行显影之前的、形成有所述含金属的抗蚀膜的多个所述基板收容于收容空间，并对所述收容空间的气氛进行调整，以调整各所述基板的含金属的抗蚀膜的反应进度。
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公开(公告)号：CN115280470B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202180021355.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 提供一种在对表面形成有通过与水反应并被加热而曝光部或未曝光部的相对于显影液的溶解性发生变化的已曝光的抗蚀膜的基板进行热处理时能够促进该溶解性的变化的技术。因此，热处理装置具备：载置台(23)，其用于载置并加热所述基板(W)；升降机构(26)，其使所述基板(W)在被载置于所述载置台(23)的第一位置与远离该载置台的第二位置之间相对地升降；以及气体供给部(33)，其对向所述第一位置移动之前的、位于所述第二位置的所述基板(W)供给第一气体，所述第一气体的湿度比设置有所述载置台(23)的气氛的湿度高。
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公开(公告)号：CN117434801A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310862834.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了曝光处理的工件(W)进行加热处理；显影单元(U3)，其对被实施了加热处理的工件(W)的覆膜进行显影处理；以及作为气体接触部的气体供给单元(U6)，在从曝光处理之后起到进行显影处理之前的期间，该气体供给单元(U6)使覆膜与非活性气体接触。
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公开(公告)号：CN117850175A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311251986.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/38
Abstract: 本发明提供能够抑制含金属抗蚀剂的覆膜的灵敏度降低，并且提高含金属抗蚀剂的图案的粗糙度的基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质。本发明的基片处理方法包括：对形成有含金属抗蚀剂的覆膜并实施了曝光处理的基片实施第一加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使所述含金属抗蚀剂前体化的步骤；之后，对所述基片实施第二加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使前体化了的所述含金属抗蚀剂缩合的步骤；和之后，对所述基片实施显影处理的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108183068B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711293037.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。
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公开(公告)号：CN115280470A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180021355.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 提供一种在对表面形成有通过与水反应并被加热而曝光部或未曝光部的相对于显影液的溶解性发生变化的已曝光的抗蚀剂的基板进行热处理时能够促进该溶解性的变化的技术。因此，热处理装置具备：载置台(23)，其用于载置并加热所述基板(W)；升降机构(26)，其使所述基板(W)在被载置于所述载置台(23)的第一位置与远离该载置台的第二位置之间相对地升降；以及气体供给部(33)，其对向所述第一位置移动之前的、位于所述第二位置的所述基板(W)供给第一气体，所述第一气体的湿度比设置有所述载置台(23)的气氛的湿度高。
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公开(公告)号：CN118800646A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410401377.1
申请日：2024-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/67 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种热处理方法、热处理装置以及计算机存储介质，能够抑制来自基板上的含金属的抗蚀剂的包含金属的升华物对基板或装置的污染，并且对基板进行良好的热处理。用于对形成有含金属的抗蚀剂的覆膜、且被进行了曝光处理的基板进行加热处理的热处理方法包括持续规定时间地以不会从所述含金属的抗蚀剂的覆膜产生包含金属的升华物的加热温度对所述基板进行加热的加热工序，在所述加热工序中，将二氧化碳和水分中的至少任一方的浓度相比于大气而言高的、用于促进所述含金属的抗蚀剂的覆膜内的反应的反应性流体供给到所述基板的周围的处理空间。
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公开(公告)号：CN116469755A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310487865.4
申请日：2017-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。
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公开(公告)号：CN116018561A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180055575.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S06)，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。
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