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公开(公告)号:CN118377199A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410029503.5
申请日:2024-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明提供能够获得无机抗蚀剂的良好图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理装置。基片处理方法包括:利用显影液对在基底膜之上形成无机抗蚀剂的覆膜后实施了曝光处理的基片进行显影,形成上述无机抗蚀剂的图案的工序;向显影后的上述基片供给埋入液,使埋入液填充在上述图案中的相邻的凸部之间的工序;使填充了的上述埋入液干燥,在上述基片上形成埋入膜的工序;和利用紫外线来减小上述埋入膜的厚度的工序。
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公开(公告)号:CN116018561A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202180055575.1
申请日:2021-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括:将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05);和对基片实施低分子化处理的步骤(S06),其中,低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。
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