公开(公告)号：CN118377199A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410029503.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下青木刚 ,  A·A·J·多安道尔费尔 ,  吉田圭佑 ,  川上真一路 ,  龟井佑矢 ,  冈田聪一郎 ,  丹羽崇文

IPC: G03F7/40

Abstract: 本发明提供能够获得无机抗蚀剂的良好图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理装置。基片处理方法包括：利用显影液对在基底膜之上形成无机抗蚀剂的覆膜后实施了曝光处理的基片进行显影，形成上述无机抗蚀剂的图案的工序；向显影后的上述基片供给埋入液，使埋入液填充在上述图案中的相邻的凸部之间的工序；使填充了的上述埋入液干燥，在上述基片上形成埋入膜的工序；和利用紫外线来减小上述埋入膜的厚度的工序。

公开(公告)号：CN114647159A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111484050.8

申请日：2021-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 龟井佑矢

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种显影方法和基片处理系统。本发明的进行基片的显影处理的显影方法包括：向含金属涂敷膜被曝光成规定图案后的所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤；和向被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的清洗液的步骤，在所述清洗液中的所述含金属涂敷膜的溶解性比在所述显影液中的所述含金属涂敷膜的溶解性小。根据本发明，能够减少在含金属涂敷膜的显影处理时产生的基片表面的残渣物的量。