公开(公告)号：CN108183068B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201711293037.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

公开(公告)号：CN118377199A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410029503.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下青木刚 ,  A·A·J·多安道尔费尔 ,  吉田圭佑 ,  川上真一路 ,  龟井佑矢 ,  冈田聪一郎 ,  丹羽崇文

IPC: G03F7/40

Abstract: 本发明提供能够获得无机抗蚀剂的良好图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理装置。基片处理方法包括：利用显影液对在基底膜之上形成无机抗蚀剂的覆膜后实施了曝光处理的基片进行显影，形成上述无机抗蚀剂的图案的工序；向显影后的上述基片供给埋入液，使埋入液填充在上述图案中的相邻的凸部之间的工序；使填充了的上述埋入液干燥，在上述基片上形成埋入膜的工序；和利用紫外线来减小上述埋入膜的厚度的工序。

公开(公告)号：CN116469755A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310487865.4

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

公开(公告)号：CN116018561A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180055575.1

申请日：2021-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 只友浩贵 ,  村松诚 ,  上田健一 ,  A·A·J·多安道尔费尔 ,  鬼塚智也 ,  吉田圭佑

IPC: G03F7/40

Abstract: 本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S06)，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。

公开(公告)号：CN108183068A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711293037.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/0043 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

公开(公告)号：CN116964715A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019898.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宽之 ,  冈田聪一郎 ,  井户泰幸 ,  村松诚 ,  吉田圭佑 ,  宫原奈乃华

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。

公开(公告)号：CN105206526B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201510350188.7

申请日：2015-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金田正利 ,  大石雄三 ,  吉田圭佑

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着，将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。

公开(公告)号：CN105206526A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510350188.7

申请日：2015-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金田正利 ,  大石雄三 ,  吉田圭佑

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B05C11/08 ,  B05C11/1002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着，将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。