公开(公告)号：CN112584938A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980054676.X

申请日：2019-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽崇博 ,  榎本正志

IPC: B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，该基板处理方法是针对被涂布有抗蚀层下方的膜用的含金属的液体的基板的处理方法，所述基板处理方法在对被涂布有所述含金属的液体的基板进行加热处理的加热处理工序(S05)之前包括以下工序：脱保护促进工序(S02)，促进被涂布有含金属的液体的基板所包含的膜用的材料中的官能团的脱保护；溶剂去除工序(S03)，去除基板的含金属的液体中包含的溶剂；以及吸湿工序(S04)，使基板的表面与水分接触。

公开(公告)号：CN108183068B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201711293037.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

公开(公告)号：CN112584938B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201980054676.X

申请日：2019-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽崇博 ,  榎本正志

IPC: B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，该基板处理方法是针对被涂布有抗蚀层下方的膜用的含金属的液体的基板的处理方法，所述基板处理方法在对被涂布有所述含金属的液体的基板进行加热处理的加热处理工序(S05)之前包括以下工序：脱保护促进工序(S02)，促进被涂布有含金属的液体的基板所包含的膜用的材料中的官能团的脱保护；溶剂去除工序(S03)，去除基板的含金属的液体中包含的溶剂；以及吸湿工序(S04)，使基板的表面与水分接触。

公开(公告)号：CN112447503A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010880215.2

申请日：2020-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽崇博 ,  只友浩贵 ,  甲斐亚希子 ,  一之宫博

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，对于抑制抗蚀图案的图案倒塌有效。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：向形成有抗蚀膜的基板的表面供给用于形成抗蚀图案的显影液；执多次清洗处理，该清洗处理是向形成有抗蚀图案的基板的表面供给包含具有亲水基的改性剂的改性液并向基板的表面供给用于去除改性液的冲洗液的处理；以及在执行多次清洗处理后，使基板的表面干燥。

公开(公告)号：CN116469755A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310487865.4

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

公开(公告)号：CN108183068A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711293037.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/0043 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。