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公开(公告)号：CN115280470B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202180021355.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 提供一种在对表面形成有通过与水反应并被加热而曝光部或未曝光部的相对于显影液的溶解性发生变化的已曝光的抗蚀膜的基板进行热处理时能够促进该溶解性的变化的技术。因此，热处理装置具备：载置台(23)，其用于载置并加热所述基板(W)；升降机构(26)，其使所述基板(W)在被载置于所述载置台(23)的第一位置与远离该载置台的第二位置之间相对地升降；以及气体供给部(33)，其对向所述第一位置移动之前的、位于所述第二位置的所述基板(W)供给第一气体，所述第一气体的湿度比设置有所述载置台(23)的气氛的湿度高。
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公开(公告)号：CN117434801A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310862834.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了曝光处理的工件(W)进行加热处理；显影单元(U3)，其对被实施了加热处理的工件(W)的覆膜进行显影处理；以及作为气体接触部的气体供给单元(U6)，在从曝光处理之后起到进行显影处理之前的期间，该气体供给单元(U6)使覆膜与非活性气体接触。
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公开(公告)号：CN110364459B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910287505.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制伴随利用含金属覆膜而产生的金属污染。基板处理装置具备：成膜部，其构成为在基板的表面形成含有金属的覆膜；覆膜清洗部，其构成为对基板的周缘部的覆膜进行清洗；以及控制部。控制部执行以下控制：控制成膜部，以在基板的表面形成覆膜；控制覆膜清洗部，以向基板的周缘部的第一位置供给具有使覆膜溶解的功能的第一药液；以及控制覆膜清洗部，以在被第一药液溶解了的覆膜干燥之后向基板的周缘部的第二位置供给具有使覆膜溶解的功能的第二药液，所述第二位置是比第一位置更靠基板的周缘侧的位置。
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公开(公告)号：CN118011737A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410235210.2
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN111226303B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880067475.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
Abstract: 本发明提供一种在使用含金属抗蚀剂膜来形成掩模图案时，抑制金属成分在图案底部残留的技术。预先在抗蚀剂膜(104)的下层形成可显影的防反射膜(103)。进而，在对晶片(W)进行了曝光、显影处理之后，对晶片(W)供给TMAH，去除与抗蚀剂膜(104)的凹部图案(110)的底部相对的防反射膜(103)的表面。因此，能够抑制金属成分(105)残留在凹部图案(110)的底部。因此，在接着使用抗蚀剂膜(104)的图案来对SiO2膜制电桥等缺陷。(102)进行蚀刻时，蚀刻不会被阻碍，所以能够抑
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公开(公告)号：CN116540505A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310622196.7
申请日：2017-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。
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公开(公告)号：CN117850175A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311251986.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/38
Abstract: 本发明提供能够抑制含金属抗蚀剂的覆膜的灵敏度降低，并且提高含金属抗蚀剂的图案的粗糙度的基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质。本发明的基片处理方法包括：对形成有含金属抗蚀剂的覆膜并实施了曝光处理的基片实施第一加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使所述含金属抗蚀剂前体化的步骤；之后，对所述基片实施第二加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使前体化了的所述含金属抗蚀剂缩合的步骤；和之后，对所述基片实施显影处理的步骤。
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公开(公告)号：CN108183068B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711293037.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。
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公开(公告)号：CN116097399A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180063042.8
申请日：2021-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种热处理装置，对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基板进行热处理，所述热处理装置具备：热板，其用于支承所述基板并对所述基板进行加热；以及腔室，其收容所述热板，其中，所述腔室具有顶部，在所述顶部的下方形成有用于进行所述热处理的处理空间，所述顶部与所述热板上的所述基板相向，所述热处理装置还具备：气体喷出部，其设置于所述顶部，用于从上方朝向所述热板上的所述基板喷出处理用气体；气体供给部，其从所述热板上的所述基板的侧方且所述处理空间的下部朝向所述热板上的所述基板供给气体；中央排气部，其从所述顶部中的、在俯视时靠所述热板上的所述基板的中央的位置对所述腔室内的所述处理空间内进行排气；周缘排气部，其从所述顶部中的、在俯视时相比于所述中央排气部靠所述热板上的所述基板的周缘部侧的位置对所述处理空间内进行排气；以及控制部，其中，所述控制部在所述热处理过程中进行控制，使得持续地进行利用所述气体喷出部进行的喷出、利用所述气体供给部进行的气体的供给以及利用所述周缘排气部进行的排气，并且从所述热处理的中途起使得利用所述中央排气部进行的排气加强。
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公开(公告)号：CN108695209B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810293097.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜；控制成膜部，使之在晶圆的表面形成抗蚀膜；控制第一清洗处理部，使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液；控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液；以及控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
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