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公开(公告)号：CN110546744B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880025732.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76 , H01L21/768
Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052321B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880057445.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C13/02 , B05D1/36 , B05D3/02 , B05D3/06 , B05D7/24 , H01L21/76 , B05C11/08
Abstract: [课题]提供一种技术，其在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可以得到良好的膜质。[解决方案]将包含聚硅氮烷的涂布液涂布于晶圆W，在使涂布液的溶剂挥发后且进行固化工序前，在氮气气氛中对前述涂布膜照射紫外线。因此，使在聚硅氮烷中预先要水解的部位的硅生成悬挂键。因此，由于水解所需的能量下降，因此，即使使固化工序的温度为350℃时，不水解而残留的部位变少。其结果，由于有效地引起脱水缩合，因此，交联率改善而可以成膜为致密的(优质膜质的)绝缘膜。而且，通过对前述涂布膜照射紫外线后在涂布膜的表面形成保护膜，从而可以抑制固化工序前的悬挂键的反应，涂布膜的膜质变良好。
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公开(公告)号：CN117434801A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310862834.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了曝光处理的工件(W)进行加热处理；显影单元(U3)，其对被实施了加热处理的工件(W)的覆膜进行显影处理；以及作为气体接触部的气体供给单元(U6)，在从曝光处理之后起到进行显影处理之前的期间，该气体供给单元(U6)使覆膜与非活性气体接触。
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公开(公告)号：CN110546744A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880025732.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76 , H01L21/768
Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
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公开(公告)号：CN111052321A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057445.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C13/02 , B05D1/36 , B05D3/02 , B05D3/06 , B05D7/24 , H01L21/76 , B05C11/08
Abstract: [课题]提供一种技术，其在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可以得到良好的膜质。[解决方案]将包含聚硅氮烷的涂布液涂布于晶圆W，在使涂布液的溶剂挥发后且进行固化工序前，在氮气气氛中对前述涂布膜照射紫外线。因此，使在聚硅氮烷中预先要水解的部位的硅生成悬挂键。因此，由于水解所需的能量下降，因此，即使使固化工序的温度为350℃时，不水解而残留的部位变少。其结果，由于有效地引起脱水缩合，因此，交联率改善而可以成膜为致密的(优质膜质的)绝缘膜。而且，通过对前述涂布膜照射紫外线后在涂布膜的表面形成保护膜，从而可以抑制固化工序前的悬挂键的反应，涂布膜的膜质变良好。
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公开(公告)号：CN221326934U
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202321848459.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了曝光处理的工件(W)进行加热处理；显影单元(U3)，其对被实施了加热处理的工件(W)的覆膜进行显影处理；以及作为气体接触部的气体供给单元(U6)，在从曝光处理之后起到进行显影处理之前的期间，该气体供给单元(U6)使覆膜与非活性气体接触。
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