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公开(公告)号：CN117940853A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061766.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明公开了一种形成抗蚀图案的方法，其依次包括：对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤；对抗蚀膜进行烘烤的步骤；对抗蚀膜中包括照射了第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤；和通过显影将抗蚀膜的一部分除去来形成抗蚀图案的步骤。
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公开(公告)号：CN117916672A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061197.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/36 , G03F7/32 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 一种微制造方法包括在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感；将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式；对该光致抗蚀剂膜进行混合显影。该混合显影包括执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分；在该第一显影工艺之后停止该光致抗蚀剂膜的显影，停止后该光致抗蚀剂膜包括具有比目标临界尺寸大的第一临界尺寸的结构；以及在停止该显影之后，执行第二显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第二部分并且使该结构的临界尺寸从该第一临界尺寸缩小到比该第一临界尺寸小的第二临界尺寸。
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公开(公告)号：CN110546744A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880025732.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76 , H01L21/768
Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
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公开(公告)号：CN104812503B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380016312.5
申请日：2013-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , H01L21/02118 , H01L21/02337 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68742
Abstract: 在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够促进相分离。
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公开(公告)号：CN119535902A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411133676.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供形成抗蚀剂图案的方法、制造半导体器件的方法、基片处理装置和存储介质，在通过EUV光刻形成细微的抗蚀剂图案的情况下，能够以高对比度形成抗蚀剂图案。形成抗蚀剂图案的方法依次包括：对包含金属氧化物抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的一部分照射极紫外线的步骤；对抗蚀剂膜中的包含被极紫外线照射了的部分及其以外的部分的区域整体照射具有100nm以上的波长的紫外线的步骤；和通过除去抗蚀剂膜的一部分的显影来形成抗蚀剂图案的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052321B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880057445.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/312 , B05C9/12 , B05C9/14 , B05C13/02 , B05D1/36 , B05D3/02 , B05D3/06 , B05D7/24 , H01L21/76 , B05C11/08
Abstract: [课题]提供一种技术，其在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可以得到良好的膜质。[解决方案]将包含聚硅氮烷的涂布液涂布于晶圆W，在使涂布液的溶剂挥发后且进行固化工序前，在氮气气氛中对前述涂布膜照射紫外线。因此，使在聚硅氮烷中预先要水解的部位的硅生成悬挂键。因此，由于水解所需的能量下降，因此，即使使固化工序的温度为350℃时，不水解而残留的部位变少。其结果，由于有效地引起脱水缩合，因此，交联率改善而可以成膜为致密的(优质膜质的)绝缘膜。而且，通过对前述涂布膜照射紫外线后在涂布膜的表面形成保护膜，从而可以抑制固化工序前的悬挂键的反应，涂布膜的膜质变良好。
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公开(公告)号：CN116018561A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180055575.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S06)，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。
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公开(公告)号：CN101521152A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910006588.0
申请日：2009-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/311 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02126 , H01L21/02137 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/3122
Abstract: 本发明提供能够一边保持基板的凹凸，一边以比堆积技术低的成本以及高生产率来形成保形的膜，并形成图形的图形形成方法以及半导体装置的制造方法。该图形形成方法包括以下工序：在具有凹凸的基底层上沿着该基底层的凹凸形成催化剂膜(3)的工序；在催化剂膜(3)上涂布流动性材料而形成涂布膜(4)的工序；使涂布膜(3)沿着催化剂膜(4)进行反应，在涂布膜(4)内形成不溶解于溶剂中的不溶化层(5)工序；以及使用溶剂除去涂布膜(4)的未反应部分，而残留下不溶化层(5)的工序。
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公开(公告)号：CN120019332A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072042.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/004 , G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法，包括：使用极性显影材料和非极性显影材料，对形成了负型的含金属抗蚀剂的覆膜、并进行了曝光处理及所述曝光处理后的加热处理的基片进行显影的工序。
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