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公开(公告)号：CN104812503A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380016312.5
申请日：2013-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , H01L21/02118 , H01L21/02337 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68742
Abstract: 在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够促进相分离。
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公开(公告)号：CN110060924B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104812503B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380016312.5
申请日：2013-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , H01L21/02118 , H01L21/02337 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68742
Abstract: 在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够促进相分离。
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公开(公告)号：CN110034019B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201811523845.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。
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公开(公告)号：CN110060924A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110034019A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811523845.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。
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公开(公告)号：CN110504165B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910375455.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。
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公开(公告)号：CN110504165A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910375455.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。
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公开(公告)号：CN104637784A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN101587301A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910118748.0
申请日：2009-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能削减装置的设备成本和设置空间，使生产率和药液的使用效率提高的药液的涂敷固化装置。在将药液涂敷于被处理体(W)的表面并使其固化的涂敷固化装置(2)中，包括：具有利用外部搬送机构(70)对被处理体进行搬入搬出的搬入搬出口(10)的处理容器(4)；设置在处理容器内，载置被处理体的载置台(24)；打开关闭搬入搬出口的开闭闸门部(12)；设在搬入搬出口的外侧，将药液涂敷到被处理体的表面的涂敷机构(4)；和设在处理容器中，使涂敷在被处理体表面的药液固化而形成薄膜的固化单元(26)。由此能够在一体化装置中进行药液的涂敷机能和固化被涂敷的药液的固化机能，从而能削减装置的设备成本和设置空间。
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