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公开(公告)号：CN110047747B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910043237.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。
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公开(公告)号：CN110071040A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910054586.2
申请日：2019-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110047747A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910043237.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。
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公开(公告)号：CN110071040B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910054586.2
申请日：2019-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112530800A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010926933.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN110942985A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910649138.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。本发明的课题是提供：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge的技术。本发明的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至基板，相对于Si选择性地蚀刻SiGe或Ge的工序。
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公开(公告)号：CN110476225A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880022445.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。
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公开(公告)号：CN112530800B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010926933.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN111755329B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010200967.X
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN110942985B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910649138.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。本发明的课题是提供：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge的技术。本发明的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至基板，相对于Si选择性地蚀刻SiGe或Ge的工序。
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