公开(公告)号：CN112530800A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010926933.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  宫田一史 ,  浅田泰生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN112530800B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010926933.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  宫田一史 ,  浅田泰生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。