公开(公告)号：CN119678245A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202480003637.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  福田智朗 ,  铃木健斗 ,  今井佑辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本公开的蚀刻方法是对形成于基板的硅锗膜进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括以下工序：第一工序，向所述基板供给第一时间的第一蚀刻气体，所述第一蚀刻气体是含氟气体；以及第二工序，在所述第一工序后，向所述基板供给比所述第一时间短的第二时间的第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体是种类与所述第一蚀刻气体的种类不同的含氟气体。

公开(公告)号：CN119654703A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380058142.0

申请日：2023-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  福田智朗 ,  铃木健斗

IPC: H01L21/302

Abstract: 提供一种去除含锗的硅膜的蚀刻残留部来形成期望的蚀刻形状的技术。对形成有硅膜和含锗的硅膜的基板供给含锗的硅用的蚀刻气体来对所述含锗的硅膜进行蚀刻，接着，向所述基板供给包含第一处理气体和第二处理气体的吹扫气体来从所述基板吹扫所述蚀刻气体，并且去除所述含锗的硅膜的蚀刻残留部，所述第一处理气体含有氟，所述第二处理气体含有氨和胺中的至少一者。

公开(公告)号：CN110047747A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910043237.0

申请日：2019-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  铃木健斗

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。

公开(公告)号：CN110047747B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910043237.0

申请日：2019-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  铃木健斗

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。