公开(公告)号：CN119678245A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202480003637.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  福田智朗 ,  铃木健斗 ,  今井佑辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本公开的蚀刻方法是对形成于基板的硅锗膜进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括以下工序：第一工序，向所述基板供给第一时间的第一蚀刻气体，所述第一蚀刻气体是含氟气体；以及第二工序，在所述第一工序后，向所述基板供给比所述第一时间短的第二时间的第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体是种类与所述第一蚀刻气体的种类不同的含氟气体。

公开(公告)号：CN119654703A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380058142.0

申请日：2023-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  福田智朗 ,  铃木健斗

IPC: H01L21/302

Abstract: 提供一种去除含锗的硅膜的蚀刻残留部来形成期望的蚀刻形状的技术。对形成有硅膜和含锗的硅膜的基板供给含锗的硅用的蚀刻气体来对所述含锗的硅膜进行蚀刻，接着，向所述基板供给包含第一处理气体和第二处理气体的吹扫气体来从所述基板吹扫所述蚀刻气体，并且去除所述含锗的硅膜的蚀刻残留部，所述第一处理气体含有氟，所述第二处理气体含有氨和胺中的至少一者。