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公开(公告)号：CN119678245A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202480003637.8
申请日：2024-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 本公开的蚀刻方法是对形成于基板的硅锗膜进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括以下工序：第一工序，向所述基板供给第一时间的第一蚀刻气体，所述第一蚀刻气体是含氟气体；以及第二工序，在所述第一工序后，向所述基板供给比所述第一时间短的第二时间的第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体是种类与所述第一蚀刻气体的种类不同的含氟气体。
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