公开(公告)号：CN111681989B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202010120010.4

申请日：2020-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽秀二 ,  山口达也 ,  李善佶

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。[课题]削减导体装置的制造工序。[解决方案]半导体装置的制造方法包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。第2层叠工序中，在至少凹部的底部和侧壁由聚合物膜所覆盖的状态下，在基板上层叠封固膜。脱离工序中，将基板加热至第1温度，从而使聚合物膜解聚，使封固膜的下层的聚合物膜借助封固膜而脱离。

公开(公告)号：CN111755329B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202010200967.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  浅田泰生 ,  山口达也

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。

公开(公告)号：CN111755329A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010200967.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  浅田泰生 ,  山口达也

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。

公开(公告)号：CN111719142A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010160553.9

申请日：2020-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小原一辉 ,  山口达也 ,  菊池康晃 ,  草岛龙司 ,  名须川信也 ,  菊池一行

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：提供一种能够改善大流量处理中的温度均匀性的技术。本发明解决技术问题的方法在于：本发明的一个方式的热处理装置具有：多段收纳多个基板并进行处理的可减压的处理容器；对上述处理容器内的上述基板进行加热的第一加热器；向上述处理容器内的高度不同的位置供给气体的多个气体供给管；和设置于上述多个气体供给管中的向最下方位置供给气体的气体供给管并对上述气体进行加热的第二加热器。

公开(公告)号：CN111696890A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010152660.7

申请日：2020-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽秀二 ,  山口达也

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在进行有机膜的相对于基板的形成和该有机膜的表面部的去除时，提高生产率。基板处理装置构成为包括：处理容器，其在内部形成真空环境；载置部，其用于在所述处理容器内载置基板；成膜气体供给部，其向载置于所述载置部的所述基板供给用于成膜有机膜的成膜气体；以及加热部，其以与所述基板非接触的方式加热载置于所述载置部的该基板，而去除所述有机膜的表面部。

公开(公告)号：CN111192854A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201911093989.4

申请日：2019-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李善佶 ,  山口达也 ,  野泽秀二 ,  佐藤渚

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供半导体存储器的制造方法。抑制形成孔时的对层叠体产生的损伤和孔内的残渣。在第1蚀刻工序中，在第1层叠工序中，在层叠于基板上的第1层叠体形成第1孔。在第1埋入工序中，在第1孔内埋入由有机材料构成的第1牺牲材料。在第2层叠工序中，向在凹部形成工序中形成于第1层叠体的第1孔的上部的凹部内层叠氧化膜。在第1去除工序中，通过以第2温度对第1层叠体进行退火从而去除第1牺牲材料。在第2埋入工序中，在凹部内的氧化膜上埋入第2牺牲材料。在第3层叠工序中，在第1层叠体和第2牺牲材料上层叠第2层叠体。在第2蚀刻工序中，在第2层叠体的与第1孔相对应的位置形成第2孔。在第2去除工序中，去除氧化膜和第2牺牲材料。

公开(公告)号：CN110034063A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811526091.7

申请日：2018-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  比利时微电子研究中心

Inventor： 八田浩一 ,  山口达也 ,  Y·费尔普莱尔 ,  F·拉扎里诺 ,  J·D·马内夫 ,  K·B·加万

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供如下技术：在制造半导体装置时，在对作为层间绝缘膜的由SiOC膜形成的多孔质的低介电常数膜进行蚀刻时能够抑制低介电常数膜的损伤。对晶圆W进行以异氰酸酯和胺为原料、通过蒸镀聚合生成聚脲的成膜处理。由此在低介电常数膜(20)的孔部(21)内埋入聚脲。而且，先形成通孔的情况下，在低介电常数膜(20)形成通孔(201)后、且形成沟槽(202)前在通孔(201)内埋入保护用的填充物(100)。作为填充物(100)可列举出聚脲。先形成沟槽的情况下，形成沟槽(202)，形成通孔(201)后，去除沟槽(202)内的掩模时，通过低介电常数膜(20)的孔部内的聚脲的存在来保护低介电常数膜。

公开(公告)号：CN107644804A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710600407.1

申请日：2017-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  早川崇 ,  奥野洋 ,  新纳礼二 ,  桥本浩幸 ,  山口达也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/768 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法、真空处理装置及基板处理装置。在对用于蚀刻形成于基板的被蚀刻膜的掩模进行了该蚀刻后，以简易的方法以抑制被蚀刻膜的损伤的方式去除。实施如下工序：向形成有被蚀刻膜(20)的基板(晶圆W)的表面供给聚合用的原料，形成由具有脲键的聚合物形成的掩模用膜(23)的工序；在前述掩模用膜(23)形成蚀刻用的图案(28)的工序；接着使用前述图案(28)利用处理气体对前述被蚀刻膜(20)进行蚀刻的工序，其后，对前述基板进行加热而将前述聚合物解聚，将前述掩模用膜(23)去除的工序。

公开(公告)号：CN102737988A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093660.X

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井弘治 ,  山口达也 ,  王文凌 ,  斋藤孝规

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 在装载晶片时准确地推断晶片温度并迅速地对晶片实施热处理的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(1)具备：对保持在舟皿(12)的晶片(W)进行处理的处理容器(3)、加热处理容器的加热器(18A)及控制加热器的控制装置(51)。在加热器与处理容器之间设置外部温度传感器(50)，在处理容器内设置内侧温度传感器(81)及内部轮廓温度传感器(82)，在舟皿设置轮廓温度传感器(83)。这些温度传感器与温度预测部(51A)连接，温度预测部选择任意两个温度传感器，如内侧温度传感器及轮廓温度传感器，在将来自所选的温度传感器的检测温度设为T1、T2时，根据T＝T1×(1-α)+T2×α、α＞1求出晶片温度T。

公开(公告)号：CN102403195A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110268903.4

申请日：2011-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井弘治 ,  山口达也 ,  王文凌 ,  斋藤孝规

IPC: H01L21/00 ,  F27D17/00

Abstract: 提供一种使处理容器内的温度高精度地收敛到目标温度并且能够缩短收敛时间的纵型热处理装置及其控制方法。热处理装置(1)具备：炉本体(5)、设置在炉本体(5)内周面的加热器(18A)、配置在炉本体(5)内的处理容器(3)、连接在炉本体(5)的冷却介质供给鼓风机(53)和冷却介质排气鼓风机(63)以及设置在处理容器(3)内的温度传感器(50)。来自温度传感器(50)的信号发送给控制装置(51)的加热器输出运算部(51a)。在加热器输出运算部(51a)中，根据由设定温度决定部(51c)求出的设定温度(A)和来自温度传感器(50)的温度来求出在仅用加热器(18A)进行温度调整时的加热器输出。鼓风机输出运算部(51b)根据加热器输出来产生鼓风机输出。