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公开(公告)号：CN111681989B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202010120010.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。[课题]削减导体装置的制造工序。[解决方案]半导体装置的制造方法包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。第2层叠工序中，在至少凹部的底部和侧壁由聚合物膜所覆盖的状态下，在基板上层叠封固膜。脱离工序中，将基板加热至第1温度，从而使聚合物膜解聚，使封固膜的下层的聚合物膜借助封固膜而脱离。
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公开(公告)号：CN111696890A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010152660.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在进行有机膜的相对于基板的形成和该有机膜的表面部的去除时，提高生产率。基板处理装置构成为包括：处理容器，其在内部形成真空环境；载置部，其用于在所述处理容器内载置基板；成膜气体供给部，其向载置于所述载置部的所述基板供给用于成膜有机膜的成膜气体；以及加热部，其以与所述基板非接触的方式加热载置于所述载置部的该基板，而去除所述有机膜的表面部。
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公开(公告)号：CN111192854A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911093989.4
申请日：2019-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供半导体存储器的制造方法。抑制形成孔时的对层叠体产生的损伤和孔内的残渣。在第1蚀刻工序中，在第1层叠工序中，在层叠于基板上的第1层叠体形成第1孔。在第1埋入工序中，在第1孔内埋入由有机材料构成的第1牺牲材料。在第2层叠工序中，向在凹部形成工序中形成于第1层叠体的第1孔的上部的凹部内层叠氧化膜。在第1去除工序中，通过以第2温度对第1层叠体进行退火从而去除第1牺牲材料。在第2埋入工序中，在凹部内的氧化膜上埋入第2牺牲材料。在第3层叠工序中，在第1层叠体和第2牺牲材料上层叠第2层叠体。在第2蚀刻工序中，在第2层叠体的与第1孔相对应的位置形成第2孔。在第2去除工序中，去除氧化膜和第2牺牲材料。
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公开(公告)号：CN100373557C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410042961.5
申请日：2004-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/32935 , G01B11/0675 , H01J37/32972 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供一种蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置，能够与掩模层的种类无关地正确检测被蚀刻层的蚀刻量。光La的一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射，得到反射光La1。光La的另一部分在孔H的底面反射，得到反射光La2。反射光La1与反射光La2相互干涉重合，产生干涉光Lai。光Lb的一部分在光刻胶掩模层(316)与多晶硅膜(304)的界面反射，得到反射光Lb1。光Lb的另一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射，得到反射光Lb2。反射光Lb1与反射光Lb2相互干涉重合，产生干涉光Lbi。使用干涉光Lai与干涉光Lbi，算出多晶硅膜(304)的蚀刻量。
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公开(公告)号：CN108573854B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810194164.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/04 , H01L21/203 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111192823A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911113621.X
申请日：2019-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种器件的制造方法。在具有凹部的被处理体的处理中，保护凹部，并且减少凹部内的残渣。器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料。在层叠工序中，在埋入凹部内的牺牲材料上层叠临时密封膜。在第1去除工序中，通过以第1温度对被处理体进行退火从而使牺牲材料热分解，而经由临时密封膜使凹部内的牺牲材料去除。在处理工序中，在由临时密封膜覆盖了凹部的状态下，对被处理体的除凹部以外的部分施加规定的处理。在第2去除工序中，去除临时密封膜。
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公开(公告)号：CN110952069A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910912532.5
申请日：2019-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和温度控制方法。一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备载置台、载置台加热器、顶板加热器、控制装置。载置台设置于收容被处理基板的处理容器内，用于载置被处理基板。载置台加热器设置于载置台内，对被载置于载置台上的被处理基板进行加热。顶板加热器设置于与载置台相向的处理容器的顶板。控制装置对载置台加热器和顶板加热器的温度进行控制。另外，控制装置通过以第一温度单位控制载置台加热器的温度来以第一温度单位控制被处理基板的温度。另外，控制装置通过以第二温度单位控制顶板加热器的温度来通过经由顶板放射的辐射热以比第一温度单位更精细的温度单位控制被处理基板的温度。
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公开(公告)号：CN110880463A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910842127.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置抑制附着于排气路径的沉积物。所述基板处理装置具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，来在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。
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公开(公告)号：CN111192823B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201911113621.X
申请日：2019-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种器件的制造方法。在具有凹部的被处理体的处理中，保护凹部，并且减少凹部内的残渣。器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料。在层叠工序中，在埋入凹部内的牺牲材料上层叠临时密封膜。在第1去除工序中，通过以第1温度对被处理体进行退火从而使牺牲材料热分解，而经由临时密封膜使凹部内的牺牲材料去除。在处理工序中，在由临时密封膜覆盖了凹部的状态下，对被处理体的除凹部以外的部分施加规定的处理。在第2去除工序中，去除临时密封膜。
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公开(公告)号：CN110942978B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910893160.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体装置内形成所期望的形状和大小的空隙。半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、调整工序、第2层叠工序、以及加热工序。在第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构造物的周围层叠聚合物膜，该聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。在调整工序中，调整聚合物膜的形状。在第2层叠工序中，以覆盖聚合物膜的方式在聚合物膜之上层叠临时密封膜。在加热工序中，通过加热聚合物膜，聚合物解聚成多种单体，解聚而成的多种单体经由临时密封膜脱离。
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