公开(公告)号：CN115483097A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210574998.0

申请日：2022-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  松永淳一郎 ,  堀川清贵

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置，抑制蚀刻后的硅膜的表面粗糙度。实施以下工序：第一工序，向在表面形成有硅膜且被设为第一温度的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，使所述硅膜的表面改性而生成反应产物；以及第二工序，在所述第一工序之后，将所述基板设为第二温度来去除所述反应产物。

公开(公告)号：CN110476225B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201880022445.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  浅田泰生 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和

公开(公告)号：CN119487616A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050532.3

申请日：2023-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤尚树 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/302

Abstract: 实施以下工序：第一工序，向形成有侧壁由硅膜形成且底壁由含锗膜形成的凹部的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述硅膜的表面改性来生成反应生成物；第二工序，去除所述反应生成物来扩大所述凹部的宽度；将由所述第一工序和所述第二工序构成的循环进行多次的工序；以及以第一处理条件进行先进行的所述循环的所述第一工序，以与所述第一处理条件不同的第二处理条件进行后进行的所述循环的所述第一工序。

公开(公告)号：CN106796881A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054412.6

申请日：2015-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹谷考司 ,  西村和晃 ,  高桥信博 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。

公开(公告)号：CN106796881B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201580054412.6

申请日：2015-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹谷考司 ,  西村和晃 ,  高桥信博 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。

公开(公告)号：CN105122432A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110476225A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022445.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  浅田泰生 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。

公开(公告)号：CN105122432B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。