公开(公告)号：CN105845562A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610077423.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  松本雅至 ,  萩原彩乃 ,  竹谷考司 ,  松永淳一郞

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。

公开(公告)号：CN105122432A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN105845562B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610077423.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  松本雅至 ,  萩原彩乃 ,  竹谷考司 ,  松永淳一郞

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。

公开(公告)号：CN105122432B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。