-
公开(公告)号：CN106796881A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054412.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN106796881B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580054412.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN106409656B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610599442.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β‑二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β‑二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN106409656A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610599442.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/31122
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β-二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β-二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105845562A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610077423.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32135 , H01L21/3065 , H01L21/67017 , H01L21/67069
Abstract: 提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。
-
公开(公告)号：CN110034019B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201811523845.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。
-
公开(公告)号：CN114121640A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110953644.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法实施如下工序：吸附工序，向前述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于前述含氧硅膜；脱附工序，使多余的前述有机胺化合物气体从前述基板脱附；和，蚀刻工序，向吸附有前述有机胺化合物的基板供给所述包含卤素的前述蚀刻气体，对前述各凹部的前述含氧硅膜进行选择性地蚀刻。
-
公开(公告)号：CN110034019A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811523845.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。
-
公开(公告)号：CN105845562B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610077423.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32135 , H01L21/3065 , H01L21/67017 , H01L21/67069
Abstract: 提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.024 seconds)
