-
公开(公告)号：CN114121640A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110953644.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法实施如下工序：吸附工序，向前述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于前述含氧硅膜；脱附工序，使多余的前述有机胺化合物气体从前述基板脱附；和，蚀刻工序，向吸附有前述有机胺化合物的基板供给所述包含卤素的前述蚀刻气体，对前述各凹部的前述含氧硅膜进行选择性地蚀刻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026080B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710007284.0
申请日：2017-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。
-
公开(公告)号：CN112838027A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011294951.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置和基板清洗方法，在使用处理气体进行基板的处理后适当地将残留于基板的气体成分去除。基板的清洗装置具有：气化部，其构成为输出水蒸气；第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，所述清洗腔室构成为在大气压下使至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气中。
-
公开(公告)号：CN107026080A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710007284.0
申请日：2017-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。
-
公开(公告)号：CN112838027B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202011294951.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置和基板清洗方法，在使用处理气体进行基板的处理后适当地将残留于基板的气体成分去除。基板的清洗装置具有：气化部，其构成为输出水蒸气；第一加热部，其构成为将氮气加热至第一温度；第二加热部，其构成为将氮气加热至第二温度，所述第二温度比所述第一温度高；以及至少一个清洗腔室，其与所述气化部、所述第一加热部以及所述第二加热部连接，所述清洗腔室构成为在大气压下使至少一个基板暴露在水蒸气、具有所述第一温度的氮气或具有所述第二温度的氮气中。
-
公开(公告)号：CN111489993A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010342111.6
申请日：2017-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理装置。其中，该基板处理装置包括：处理室，其被维持为大气压气氛；载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有550g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.021 seconds)
