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公开(公告)号：CN101107698A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200580045165.X
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/931
Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
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公开(公告)号：CN119487616A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050532.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 实施以下工序：第一工序，向形成有侧壁由硅膜形成且底壁由含锗膜形成的凹部的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述硅膜的表面改性来生成反应生成物；第二工序，去除所述反应生成物来扩大所述凹部的宽度；将由所述第一工序和所述第二工序构成的循环进行多次的工序；以及以第一处理条件进行先进行的所述循环的所述第一工序，以与所述第一处理条件不同的第二处理条件进行后进行的所述循环的所述第一工序。
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公开(公告)号：CN100573826C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580010687.6
申请日：2005-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67028 , H01L21/67757 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的基板处理装置(1)具有：利用处理液处理基板的处理槽(3)、配置在处理槽(3)上方的干燥处理部(6)、和使基板W在处理槽(3)与干燥处理部(6)之间移动的移动机构(8)。在干燥处理部(6)上连接着供给处理气体的处理气体供给管线(21)、和向干燥处理部(6)供给非活性气体的非活性气体供给管线(24、25)。又，在干燥处理部(6)上连接着将从干燥处理部(6)压出的气氛气体排出的第1排气管线(26)、和强制排出前述干燥处理部(6)的气体的第2排气管线(27)。
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公开(公告)号：CN112542400A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010938557.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。
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公开(公告)号：CN102610488A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210016401.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/68728 , B08B3/04 , B08B3/041 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种液处理装置及液处理方法，其能够防止由附着在用于支承喷嘴的喷嘴支承臂上的污垢污染处理室内的基板。液处理装置(10)包括：处理室(20)，其在内部设有用于保持基板(W)的基板保持部(21)和配设在该基板保持部(21)的周围的杯(40)；喷嘴(82a)，其用于向保持在基板保持部(21)的基板W供给流体；喷嘴支承臂，其用于支承喷嘴(82a)。在液处理装置(10)中设有用于对喷嘴支承臂(82)进行清洗的臂清洗部(88)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938830A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010687.6
申请日：2005-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67028 , H01L21/67757 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的基板处理装置(1)具有：利用处理液处理基板的处理槽(3)、配置在处理槽(3)上方的干燥处理部(6)、和使基板W在处理槽(3)与干燥处理部(6)之间移动的移动机构(8)。在干燥处理部(6)上连接着供给处理气体的处理气体供给管线(21)、和向干燥处理部(6)供给非活性气体的非活性气体供给管线(24、25)。又，在干燥处理部(6)上连接着将从干燥处理部(6)压出的气氛气体排出的第1排气管线(26)、和强制排出前述干燥处理部(6)的气体的第2排气管线(27)。
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公开(公告)号：CN115410916A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210547963.8
申请日：2022-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在存在氮化钛、以及钼或钨的基板上抑制钼或钨中的孔蚀的产生并蚀刻氮化钛膜。蚀刻方法包括以下步骤：准备存在氮化钛、以及钼或钨的基板；以及向基板供给含有ClF3气体和N2气体的处理气体，来蚀刻氮化钛。在蚀刻中，使处理气体的ClF3气体与N2气体的分压比成为使Mo或W的晶粒间界氮化到抑制孔蚀的产生的程度的值。
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公开(公告)号：CN102610488B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210016401.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/68728 , B08B3/04 , B08B3/041 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种液处理装置及液处理方法，其能够防止由附着在用于支承喷嘴的喷嘴支承臂上的污垢污染处理室内的基板。液处理装置(10)包括：处理室(20)，其在内部设有用于保持基板(W)的基板保持部(21)和配设在该基板保持部(21)的周围的杯(40)；喷嘴(82a)，其用于向保持在基板保持部(21)的基板W供给流体；喷嘴支承臂，其用于支承喷嘴(82a)。在液处理装置(10)中设有用于对喷嘴支承臂(82)进行清洗的臂清洗部(88)。
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公开(公告)号：CN105023863A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510217206.4
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
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公开(公告)号：CN112542400B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010938557.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。
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