公开(公告)号：CN1926663A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006516.6

申请日：2005-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 芦垣繁雄 ,  加藤良裕 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  川崎哲 ,  志村悟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供基板的加工方法，包括：在已经在基板上形成的待蚀刻的目标膜上依次形成Si－C基膜和抗蚀膜的步骤；利用抗蚀膜作为掩模蚀刻Si－C基膜的第一蚀刻步骤；和利用抗蚀膜和Si－C基膜作为掩模蚀刻待蚀刻的目标膜的第二蚀刻步骤。该加工方法进一步包括在所需时机剥离抗蚀膜的剥离步骤。剥离步骤包括制备作为脱模剂的有机溶剂的制备步骤，和在抗蚀膜上涂敷有机溶剂的涂敷步骤。

公开(公告)号：CN101529571A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038899.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吹上纪明 ,  加藤良裕 ,  有门经敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置，其能够不对元件构造部造成损伤地除去侧壁隔离膜等。半导体装置的制造方法包括：在被处理基体(21)上形成由GeCOH或者GeCH构成的第一薄膜的工序；除去该第一薄膜的一部分，形成残留部(30)的工序；和通过已除去上述第一薄膜的空间，在上述被处理基体(21)上实施规定的处理的处理工序。

公开(公告)号：CN101946311A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105456.1

申请日：2009-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  吹上纪明

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653

Abstract: 本发明涉及一种在半导体装置的制造过程中使用的薄膜，该薄膜含有锗、硅、氮和氢。

公开(公告)号：CN101681835A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017520.6

申请日：2008-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  吹上纪明

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种薄膜和使用该薄膜的半导体装置的制造方法。该薄膜在半导体装置的制造过程中使用，其形成在半导体基板上，在使用于特定的功能之后，能够被除去，该薄膜包含硅、锗和氧。

公开(公告)号：CN100472730C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述积层体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。

公开(公告)号：CN101689501A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023655.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  柏木勇作 ,  松本贵士

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42 ,  H01L23/522 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供的半导体装置的制造方法包括：将含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体活化而得到等离子体，并且在将基板的温度设定为200℃以下的状态下，将上述基板暴露在上述等离子体中，在上述基板上形成含有苯基和硅的薄膜的工序(a)；和其后，对上述基板施加能量，使水分从上述薄膜脱离，得到低介电常数膜的工序(b)。根据该半导体装置的制造方法，能够得到在对含有有机物的硅氧化物类的低介电常数膜进行蚀刻处理或灰化处理等的等离子体处理时，由于有机物脱离而受到的损害小的低介电常数膜。

公开(公告)号：CN101107698A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。

公开(公告)号：CN1328766C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN02803916.5

申请日：2002-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  后藤聪 ,  义高光 ,  青木诚

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种处理装置，在第一扩散板(21)的气体导入管(27)一侧的面上形成槽(30)，在电板极(19)一侧的面上形成凹部(32)。第一槽(30)与凹部(32)通过多个导通口(31)连通。第一槽(30)和导通口(31)，形成从气体导入管(27)通向凹部(32)的气体流路(L)。从气体导入管(27)供给的处理气体通过气体流路(L)，向在凹部(32)与电板极(19)之间形成的中空部扩散，从而进行供气。

公开(公告)号：CN1582488A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02803916.5

申请日：2002-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  后藤聪 ,  义高光 ,  青木诚

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种处理装置，在第一扩散板(21)的气体导入管(27)一侧的面上形成槽(30)，在电板极(19)一侧的面上形成凹部(32)。第一槽(30)与凹部(32)通过多个导通口(31)连通。第一槽(30)和导通口(31)，形成从气体导入管(27)通向凹部(32)的气体流路(L)。从气体导入管(27)供给的处理气体通过气体流路(L)，向在凹部(32)与电板极(19)之间形成的中空部扩散，从而进行供气。