公开(公告)号：CN101103447A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680002218.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  大岛康弘 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/316 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种SiOCH膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

公开(公告)号：CN100541736C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200480015314.3

申请日：2004-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柏木勇作 ,  大岛康弘 ,  香川惠永 ,  郑基市

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可以使通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD法来进行成膜的绝缘膜的介电常数降低、以及维持机械强度。因此，在本发明中，包括：通过向被处理基板供给包含有机硅烷气体的第一处理气体来激励等离子体，而在该被处理基板上形成绝缘膜的成膜工序；和在所述的成膜工序之后，通过向被处理基板供给包含H2气体的第二处理气体来激励等离子体，而进行该绝缘膜的处理的后处理工序，其中，通过微波等离子体天线来进行所述后处理工序的等离子体激励。

公开(公告)号：CN101689501A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023655.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  柏木勇作 ,  松本贵士

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42 ,  H01L23/522 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供的半导体装置的制造方法包括：将含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体活化而得到等离子体，并且在将基板的温度设定为200℃以下的状态下，将上述基板暴露在上述等离子体中，在上述基板上形成含有苯基和硅的薄膜的工序(a)；和其后，对上述基板施加能量，使水分从上述薄膜脱离，得到低介电常数膜的工序(b)。根据该半导体装置的制造方法，能够得到在对含有有机物的硅氧化物类的低介电常数膜进行蚀刻处理或灰化处理等的等离子体处理时，由于有机物脱离而受到的损害小的低介电常数膜。

公开(公告)号：CN1836316A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN102160156A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136346.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/10 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/481 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。

公开(公告)号：CN100514575C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200680002218.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井出真司 ,  大岛康弘 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/316 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种SiOCH膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

公开(公告)号：CN102160156B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200980136346.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/10 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/481 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。

公开(公告)号：CN102712477A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005724.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贵士 ,  杉浦正仁 ,  小泉建次郎 ,  柏木勇作

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备在表面具有一个或多个开口部、在该开口部底面形成有催化剂金属层的被处理体（步骤1）。对催化剂金属层实施氧等离子体处理（步骤2），再对催化剂金属层实施氢等离子体处理，将催化剂金属层的表面活化（步骤3）。然后，根据需要进行吹扫处理（步骤4）之后，在催化剂金属层上由等离子体CVD使碳纳米管生长，以碳纳米管将被处理体的开口部内填充（步骤5）。

公开(公告)号：CN101436538A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810130334.5

申请日：2008-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  井出真司 ,  柏木勇作 ,  宫谷光太郎

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的成膜方法和一种计算机可读的记录介质。对通过使用有机硅化合物原料的等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，形成表面致密化层，进一步通过氢等离子体处理，将CHx基、OH基以被控制的速率从表面致密化层之下的SiOCH膜通过所述表面致密化层而排出，从而稳定地形成多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN100459062C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。