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公开(公告)号：CN100541736C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480015314.3
申请日：2004-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，可以使通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD法来进行成膜的绝缘膜的介电常数降低、以及维持机械强度。因此，在本发明中，包括：通过向被处理基板供给包含有机硅烷气体的第一处理气体来激励等离子体，而在该被处理基板上形成绝缘膜的成膜工序；和在所述的成膜工序之后，通过向被处理基板供给包含H2气体的第二处理气体来激励等离子体，而进行该绝缘膜的处理的后处理工序，其中，通过微波等离子体天线来进行所述后处理工序的等离子体激励。
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公开(公告)号：CN1703769A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03820662.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。
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公开(公告)号：CN114450418A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201980098491.9
申请日：2019-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社岛津制作所 , 公益财团法人神户医疗产业都市推进机构
IPC: C12Q1/06 , C12N5/071 , C12N5/0735 , G01N33/50 , G01N33/68
Abstract: 本发明是有关于一种对自诱导性多能干细胞(iPS细胞)向视网膜色素上皮细胞的分化诱导步骤中的、细胞的分化状态进行评价的方法。进而，本发明是有关于一种对自胚胎干细胞(ES细胞)向视网膜色素上皮细胞的分化诱导步骤中的、细胞的分化状态进行评价的方法。
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公开(公告)号：CN100405549C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480001409.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C16/455
Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。
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公开(公告)号：CN1706034A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001409.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C16/455
Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112673110A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980047166.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种细胞的基因组异常评价方法，无需评价的专业性，简便且迅速并且为非侵袭性的。基因组异常评价方法将在培养基中经培养的多能干细胞或由多能干细胞进行分化诱导而得的细胞作为被检验细胞，评价所述被检验细胞是否有基因组异常，且所述方法包括下述步骤：测定被检验细胞的培养上清液中的指标物质的存在量；以及基于所述指标物质的存在量来评价所述被检验细胞是否有基因组异常，所述指标物质为选自由脱氧胞苷、犬尿氨酸、腐胺、丙氨酸、半胱氨酸、胱硫醚及苏糖酸所组成的组群中的至少一个，基于所述至少一个指标物质的存在量来进行所述被检验细胞是否有基因组异常的评价。
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公开(公告)号：CN100514575C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680002218.4
申请日：2006-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5329 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/31633 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种SiOCH膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。
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公开(公告)号：CN1322558C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN02805470.9
申请日：2002-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大岛康弘
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4405
Abstract: 将使羧酸气化的清洁气体供给至附着绝缘性物质的处理室内，同时对处理室内部进行真空排气。当供给至处理室内的清洁气体与附着在处理室内壁和基座上的绝缘性物质接触时，绝缘性物质被配位化而形成绝缘性物质的配位化合物。绝缘性物质的配位化合物，因蒸气压高而容易气化。气化的绝缘性物质的配位化合物，通过真空排气，排出至处理室外面。
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公开(公告)号：CN101341582B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780000830.2
申请日：2007-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J65/044
Abstract: 本发明提供一种光源装置，该光源装置由包含等离子体的形成区域，在上述等离子体的形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和划分在上述等离子体形成室中的等离子体的形成区域的下端，透过上述发光的光学窗构成，在上述等离子体形成室内，形成有用于导入生成上述等离子体的微波的微波透过窗，而且，在上述微波透过窗的外侧设置有与上述微波窗结合、导入上述微波的微波天线。
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公开(公告)号：CN101341582A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200780000830.2
申请日：2007-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J65/044
Abstract: 本发明提供一种光源装置，该光源装置由包含等离子体的形成区域，在上述等离子体的形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和划分在上述等离子体形成室中的等离子体的形成区域的下端，透过上述发光的光学窗构成，在上述等离子体形成室内，形成有用于导入生成上述等离子体的微波的微波透过窗，而且，在上述微波透过窗的外侧设置有与上述微波窗结合、导入上述微波的微波天线。
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