公开(公告)号：CN100405549C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。

公开(公告)号：CN1706034A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。