公开(公告)号：CN112011768A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010429448.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 今北健一 ,  小岛康彦 ,  五味淳 ,  横原宏行 ,  曾根浩

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供成膜装置。该成膜装置包括处理容器、在处理容器内保持基片的基片保持部和配置于基片保持部的上方的靶单元。靶单元包括：靶，其具有主体部和其周围的呈环状的凸缘部，能够释放溅射颗粒；具有靶电极且保持靶的靶保持部；将靶的凸缘部夹持在靶保持部的靶夹具；以及防附着遮挡件，其在靶的主体部的周围以覆盖凸缘部、靶夹具和靶保持部的方式设置，以其内侧前端进入靶的主体部与靶夹具之间的凹部的方式配置而形成迷宫结构。本发明能够在同一处理容器内进行金属膜的沉积和沉积的金属氧化膜的氧化处理时，抑制金属靶的氧化。

公开(公告)号：CN102348831A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011548.6

申请日：2010-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/45525

Abstract: 在处理容器内收纳基板，以气相状态将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂导入至处理容器内，使它们在基板上反应，使Cu膜沉积在基板上。

公开(公告)号：CN100572592C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580000371.9

申请日：2005-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。

公开(公告)号：CN101484609A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025177.5

申请日：2007-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将上述处理容器内的水蒸气和原料气体排出的排出工序；以及向上述处理容器内仅再次供给上述原料气体，在上述紧贴层之上进一步形成铜膜的第二成膜工序。

公开(公告)号：CN101006194A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200680000633.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  松泽兴明 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。

公开(公告)号：CN1826426A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200580000371.9

申请日：2005-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(Atomic Layer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。

公开(公告)号：CN1481582A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN01820602.6

申请日：2001-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  有马进 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。

公开(公告)号：CN101684547B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910205875.4

申请日：2005-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  吉井直树

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。

公开(公告)号：CN1826428B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200480002181.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  小岛康彦 ,  重冈隆 ,  河南博 ,  石坂忠大

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。

公开(公告)号：CN100557779C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200680001098.6

申请日：2006-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  松泽兴明 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76864

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。