公开(公告)号：CN102348831A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011548.6

申请日：2010-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/45525

Abstract: 在处理容器内收纳基板，以气相状态将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂导入至处理容器内，使它们在基板上反应，使Cu膜沉积在基板上。

公开(公告)号：CN102348830A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011240.1

申请日：2010-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧皮贤治 ,  小岛康彦

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 对保持于相对高的第1温度且具有作为成膜基底膜的Ru膜的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在晶片上生成Cu的初期核，之后，对保持于相对低的第2温度的晶片供给含有Cu配位化合物的成膜原料，在生成有Cu的初期核的晶片上沉积Cu。

公开(公告)号：CN102317499A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008213.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在腔室(1)内收纳具有CVD-Ru膜的晶片W，在腔室(1)内以气相状态导入含有作为Cu配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Cu(hfac)2的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片W的CVD-Ru膜上形成CVD-Cu膜时，将腔室1内压力控制为吸附于CVD-Ru膜表面的Cu(hfac)2的进行脱离和扩散的压力。

公开(公告)号：CN102341525A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080008289.1

申请日：2010-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在腔室(1)内收纳晶片W，在腔室1内以气相状态导入作为1价Cuβ二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS和还原该配位化合物的还原剂，通过CVD法在晶片W上形成Cu膜。