公开(公告)号：CN119256113A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380041969.0

申请日：2023-06-05

Applicant: 岭南大学校产学协力团 ,  田中贵金属工业株式会社

Inventor： 金秀贤 ,  小次洋平

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/16 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及利用使有机钌化合物与反应气体在基板上反应而使钌薄膜或钌化合物薄膜成膜的化学蒸镀法的钌薄膜或钌化合物薄膜的制造方法。本发明的化学蒸镀法由应用非氧化性气体作为反应气体的第1成膜工序、和在通过第1成膜工序成膜后将氧化性气体作为反应气体而成膜的第2成膜工序构成。而且，作为成为前驱体的有机钌化合物，应用含有羰基配体的预定的有机钌化合物α、β、γ中的任一者。根据本发明的化学蒸镀法，能够在抑制基板的氧化的同时有效地使高品质的钌薄膜成膜。

公开(公告)号：CN111540675B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201910665554.6

申请日：2019-07-23

Applicant: 铠侠股份有限公司

Inventor： 名取克晃 ,  丰田启 ,  北村政幸 ,  別府贵幸

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而，所述方法包括：将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而，所述方法包括：在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后，将含有氯的第2气体供给到所述收容部内，而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。

公开(公告)号：CN116288237A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211636972.0

申请日：2022-12-16

Applicant: 有研亿金新材料有限公司 ,  有研亿金新材料(山东)有限公司

Inventor： 王兴权 ,  李勇军 ,  罗俊锋 ,  何金江 ,  徐国进 ,  丁照崇 ,  刘丹 ,  朱孜毅

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/02 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及溅射靶材技术领域，具体涉及一种高纯钴溅射靶材的制备方法、高纯钴溅射靶材及应用。所述方法包括以下步骤：(1)基体预处理：选择靶材基体，对基体表面进行加工处理，控制基体表面粗糙度在0.1μm以下；(2)高纯钴沉积：采用化学气相沉积法将高纯钴沉积到基体上，沉积时基体的温度保持在200‑400℃，得到高纯钴溅射靶材。本发明采用气相沉淀法直接在基体表面沉积，一步法直接得到高纯度钴溅射靶材，反应过程均匀，产品一致性好；金属钴直接沉积到背板上，靶材内应力小，透磁均匀性高，有利于保证钴靶材产品质量，且生产成本低。得到的钴靶PTF比传统的冷热轧制加退火的工艺要高，同时组织均匀，具有更好的磁控溅射性能。

公开(公告)号：CN114981473A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180010030.9

申请日：2021-05-28

Applicant: 岩谷产业株式会社

Inventor： 真锅俊树 ,  泉浩一 ,  荘所正 ,  永山谅太郎

IPC: C23C16/44 ,  C22B3/06 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 提供铂族金属回收方法、含铂族金属膜的制造方法及成膜装置。铂族金属的回收方法是一种在成膜腔室内导入含有铂族金属的原料气体，在收容于所述成膜腔室内的基板的表面形成含铂族金属膜之后，回收存在于成膜腔室内的铂族金属的方法，该回收方法具备：(i)向取出了所述基板的所述成膜腔室内导入含氟的清洁气体的步骤；以及(ii)向捕获容器内导入从所述成膜腔室排出的所述清洁气体的步骤，所述捕获容器保持有由选自由碱石灰、消石灰及CaO组成的组中的至少一种构成的捕获剂。

公开(公告)号：CN114231940A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111495064.X

申请日：2021-12-08

Applicant: 安徽光智科技有限公司

Inventor： 张明倩 ,  于金凤

IPC: C23C16/16 ,  C23C14/34

Abstract: 本公开提供了一种以羰基钼为前驱体制备钼溅射靶材的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将基体材料进行除油去污处理；步骤二，将基体材料放入化学气相沉积设备的沉积室中，并抽真空在1Pa‑20Pa，预热基体材料；步骤三，以六羰基钼颗粒为原料，将在高纯氢气和氩气气氛中加热到40℃‑60℃，使其气化；步骤四，将步骤三中的混合气通入沉积室中；步骤五，将六羰基钼在基体材料上进行热分解气相沉积。本公开的方法控制反应气体流速、流向，有利于提高成膜速度和成膜质量；通过调整沉积时间、沉积基板材质、形状和尺寸，可以沉积不同厚度、尺寸、形状的钼靶材，并且沉积温度低，沉积过程简单不产生污染废气。

公开(公告)号：CN111910166A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010805425.5

申请日：2020-08-12

Applicant: 西部金属材料股份有限公司

Inventor： 葛鹏 ,  高建平 ,  卢广轩 ,  张欢 ,  任碧莹 ,  颜俏 ,  王晓哲

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供了一种耐腐蚀金属多孔材料及其制备方法和应用，涉及金属多孔材料技术领域。本发明提供的耐腐蚀金属多孔材料包括金属多孔材料基材和通过化学气相沉积冶金结合在所述金属多孔材料基材的多孔骨架表面的耐腐蚀沉积层，所述耐腐蚀沉积层为金属Ta层、金属Mo层或金属Ta层与金属Mo层的交替复合层。本发明通过化学气相沉积能够在远低于Ta和Mo熔点的条件下实现金属多孔材料与Ta和Mo的结合，且化学气相沉积绕射性强，Ta和Mo能够均匀且致密地环抱在金属多孔骨架表面，提高了金属多孔材料的耐腐蚀能力。本发明提供的耐腐蚀金属多孔材料在硫酸、氢氟酸、盐酸、硝酸以及这些酸的混合酸中均有良好的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN111540675A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201910665554.6

申请日：2019-07-23

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 名取克晃 ,  丰田启 ,  北村政幸 ,  別府贵幸

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而，所述方法包括：将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而，所述方法包括：在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后，将含有氯的第2气体供给到所述收容部内，而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。

公开(公告)号：CN111508869A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010078725.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸟屋大辅 ,  古屋雄一 ,  藤里敏章

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。

公开(公告)号：CN110168136A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780083027.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 铃木良和 ,  久住庸辅

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  G09F9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种配线修正装置，其照射由CVD用激光振荡器振荡产生的CVD用的激光，并在修正用基板的激光照射面使CVD用原料气体进行光分解，从而在激光照射面形成修正用金属配线，其特征在于，具有改性用激光振荡器，改性用激光振荡器使波长与CVD用的激光不同的改性用的激光产生振荡，而使修正用金属在熔融之后固化。

公开(公告)号：CN110023534A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780074709.8

申请日：2017-10-31

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： A·C·库珀 ,  S·V·伊万诺夫

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C07F15/06 ,  H01L21/285

Abstract: 本文描述了钴化合物、用于制备钴化合物的方法以及用于沉积含钴膜(例如，钴、氧化钴、氮化钴等)的包含钴金属膜前体的组合物。钴前体化合物的实例是(炔)二钴六羰基化合物、钴烯胺化合物、钴单氮杂二烯和(官能化烷基)钴四羰基化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅化物。具有如氨基、腈、亚氨基、羟基、醛、酯、卤素和羧酸的基团的官能化配体用于在某些表面上的选择性沉积和/或实现优异的膜性质，例如均匀性、连续性和低电阻。