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公开(公告)号：CN101205605B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610168334.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22
Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
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公开(公告)号：CN101082125A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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公开(公告)号：CN110504157A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910410303.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。本公开的基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将基板载置台调温至第一温度来对基板进行处理；以及第二处理工序，将所述基板载置台调温至比所述第一温度高的第二温度来对所述基板进行处理，其中，在将所述基板载置台从所述第一温度向所述第二温度进行调温时，使维持所述冷却器的设定温度的第一流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作，在将所述基板载置台从所述第二温度向所述第一温度进行调温时，使流量比所述第一流量多的第二流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作、或者使所述加热器停止工作。
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公开(公告)号：CN107689341A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710661418.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
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公开(公告)号：CN102105253B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980128987.2
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B23B31/28
CPC classification number: H02N13/00
Abstract: 本发明描述了一种为高温减压处理所构造的静电卡盘。静电卡盘包括具有静电夹紧电极和可选加热元件的卡盘主体，和具有传热表面的散热器主体，所述传热表面被布置为与卡盘主体的内表面呈密切关系，其中静电夹紧电极被构造为将衬底夹紧在卡盘主体的外表面上，并且其中由于内表面和传热表面的密切关系，散热器主体被构造为从卡盘主体移除热量。静电卡盘还包括构造为支撑卡盘主体和散热器主体的平台组件，和膨胀接头，所述膨胀接头设置在卡盘主体和平台组件之间，并且被构造为在适应卡盘主体和平台组件的差异热膨胀的同时将卡盘主体密封连接到平台组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111508869B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010078725.8
申请日：2020-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。
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公开(公告)号：CN110931388B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910874896.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , B08B5/02
Abstract: 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。
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公开(公告)号：CN107689341B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710661418.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
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公开(公告)号：CN111417742A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880074074.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。
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公开(公告)号：CN110931388A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910874896.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , B08B5/02
Abstract: 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。
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