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公开(公告)号：CN109817562B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811399185.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板载置台，能够抑制电弧放电和微粒的产生。一个实施方式的基板载置台被使用于在处理容器内对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该基板载置台具有：基板载置部，其被加工成镜面，用于载置所述基板；边缘部，其位于所述基板载置部的周围，被加工成凹凸形状。
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公开(公告)号：CN103132046B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210485592.1
申请日：2012-11-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤耕一
IPC: C23C16/14 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/4814 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明涉及一种钨膜的成膜方法，形成与底层的密合性或电特性不会变差、电阻低的钨膜。在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜时，隔着吹扫交替重复进行作为钨原料的WF6气体的供给、和作为还原气体的H2气体的供给，从而在基板的表面上形成初期钨膜，在初期钨膜的表面上吸附含有用于形成核的物质的气体，供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，形成阻断初期钨膜的结晶性的结晶性阻断钨膜，然后升高处理容器内的压力后，增多WF6气体的流量来供给WF6气体和H2气体，从而形成主钨膜。
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公开(公告)号：CN109087854A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810614198.0
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及对膜进行蚀刻的方法，能够减少在校准流量控制器后被依次处理的被加工物之间的膜的蚀刻的结果之差。在一个实施方式的方法中，根据正在向腔室供给第一气体时的腔室的压力上升率来校准第一气体用的流量控制器。接着，向腔室供给第二气体。接着，向腔室供给包含第一气体和第二气体的混合气体。接着，利用包含第一气体和第二气体的混合气体来从被加工物的膜生成反应生成物。反应生成物升华并且被去除。
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公开(公告)号：CN103132046A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210485592.1
申请日：2012-11-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤耕一
IPC: C23C16/14 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/4814 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明涉及一种钨膜的成膜方法，形成与底层的密合性或电特性不会变差、电阻低的钨膜。在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜时，隔着吹扫交替重复进行作为钨原料的WF6气体的供给、和作为还原气体的H2气体的供给，从而在基板的表面上形成初期钨膜，在初期钨膜的表面上吸附含有用于形成核的物质的气体，供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，形成阻断初期钨膜的结晶性的结晶性阻断钨膜，然后升高处理容器内的压力后，增多WF6气体的流量来供给WF6气体和H2气体，从而形成主钨膜。
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公开(公告)号：CN109817562A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811399185.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板载置台，能够抑制电弧放电和微粒的产生。一个实施方式的基板载置台被使用于在处理容器内对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该基板载置台具有：基板载置部，其被加工成镜面，用于载置所述基板；边缘部，其位于所述基板载置部的周围，被加工成凹凸形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109563619A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046213.X
申请日：2017-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 在基板的表面形成钨膜的钨膜的成膜方法具有：在减压气氛下的处理容器内配置表面具有非晶层的基板；对处理容器内的基板进行加热；以及、向处理容器内供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，在非晶层上形成主钨膜。
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公开(公告)号：CN101208458A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680023223.3
申请日：2006-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/08 , H01L21/285 , H01L21/268
CPC classification number: C23C16/14 , C23C16/45523 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非品质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。
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公开(公告)号：CN110931388B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910874896.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , B08B5/02
Abstract: 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。
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公开(公告)号：CN110931388A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910874896.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , B08B5/02
Abstract: 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。
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公开(公告)号：CN101208458B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200680023223.3
申请日：2006-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/08 , H01L21/285 , H01L21/268
CPC classification number: C23C16/14 , C23C16/45523 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非晶质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。
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