公开(公告)号：CN102405304A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080017418.3

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木干夫 ,  西森崇 ,  汤浅秀树

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 进行一次或多次包括以下工序的循环：通过CVD在基板上形成含氮的Ni膜的工序，其中，作为成膜原料使用脒基镍，作为还原气体使用选自氨、肼或这些的衍生物中的至少一种；和对形成的含氮的Ni膜供给氢气，以Ni作为催化剂产生原子氢，通过产生的原子氢使氮从上述含氮的Ni膜脱离的工序。

公开(公告)号：CN102108496A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010621816.8

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一 ,  菊地宏之 ,  尾谷宗之 ,  熊谷武司 ,  成岛健索 ,  西森崇

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。该成膜装置在进行氮化钛膜的成膜处理时，通过使旋转台与各气体喷嘴以100rpm以上的转速相对旋转，使反应气体的供给循环或反应生成物的成膜循环高速化来形成薄膜。在产生因生成于基板表面的反应生成物的结晶化而引起的粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一反应生成物的层而形成平滑的表面。

公开(公告)号：CN101208458A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023223.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  杉浦正仁 ,  西森崇 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非品质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

公开(公告)号：CN102365715A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080014285.4

申请日：2010-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木干夫 ,  西森崇 ,  汤浅秀树

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/42 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 一种金属硅化物膜的形成方法，具有：准备在表面具有硅部分的基板的工序(步骤1)，通过使用含氮金属化合物作为成膜原料的CVD在硅部分的表面形成金属膜的工序(步骤2)，及其后，对基板在氢气氛下实施退火，通过金属膜与硅部分的反应而形成金属硅化物的工序(步骤3)。

公开(公告)号：CN101208458B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680023223.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  杉浦正仁 ,  西森崇 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非晶质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

公开(公告)号：CN101448971A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780017818.2

申请日：2007-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  西森崇

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，上述成膜方法的特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在所述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序。