公开(公告)号：CN101899649A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910253445.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉浦正仁 ,  沟口泰隆 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。

公开(公告)号：CN1224092C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01808741.8

申请日：2001-04-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前川薰 ,  杉浦正仁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜，在第二绝缘膜中形成图形以在其中形成一个开口，以及利用第二绝缘膜作为一个蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN101899649B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910253445.X

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉浦正仁 ,  沟口泰隆 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。

公开(公告)号：CN1426600A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN01808741.8

申请日：2001-04-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前川薰 ,  杉浦正仁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜，在第二绝缘膜中形成图形以在其中形成一个开口，以及利用第二绝缘膜作为一个蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN101208458B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680023223.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  杉浦正仁 ,  西森崇 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非晶质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

公开(公告)号：CN101213320A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024112.4

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉浦正仁 ,  沟口泰隆 ,  饗场康

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供形成比现有技术中电阻率更小，在与基底的阻挡层的临界部分氟浓度更低，与阻挡层的密接性更高的钨膜的方法。具有向处理容器14内的晶片M供给含硅气体的工序、在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。

公开(公告)号：CN102712477A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005724.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贵士 ,  杉浦正仁 ,  小泉建次郎 ,  柏木勇作

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备在表面具有一个或多个开口部、在该开口部底面形成有催化剂金属层的被处理体（步骤1）。对催化剂金属层实施氧等离子体处理（步骤2），再对催化剂金属层实施氢等离子体处理，将催化剂金属层的表面活化（步骤3）。然后，根据需要进行吹扫处理（步骤4）之后，在催化剂金属层上由等离子体CVD使碳纳米管生长，以碳纳米管将被处理体的开口部内填充（步骤5）。

公开(公告)号：CN101208458A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023223.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  杉浦正仁 ,  西森崇 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非品质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

公开(公告)号：CN1305119C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。

公开(公告)号：CN1545724A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816482.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  杉浦正仁 ,  柏木勇作 ,  香川惠永 ,  太田与洋

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。