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公开(公告)号：CN102686773A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180005389.3
申请日：2011-03-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76814 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3105 , H01L21/32051 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供的成膜方法包括：在成膜装置（100）的处理容器（1）内配置设置有绝缘膜的晶片（W）的工序；在处理容器（1）内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体，使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在处理容器（1）内供给包含含锰材料的成膜气体，由CVD法在形成有Si-OH基的绝缘膜的表面形成含锰膜的成膜工序。在表面改性工序中，在处理容器内既可以同时也可以交替地供给含有硅原子的化合物的气体和OH基供给性气体。
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公开(公告)号：CN101410954A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011117.8
申请日：2007-03-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 三好秀典
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/3105 , H01L21/67109 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76829
摘要： 本发明提供一种基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法和存储介质，基板处理装置(100)包括：保持被处理基板(W)并且对该被处理基板(W)进行加热的保持台(103)；在内部配备所述保持台(103)的处理容器(101)；和向所述处理容器(101)内供给处理气体的气体供给部(102)，其特征在于：所述处理气体含有有机酸铵盐、有机酸胺盐、有机酸酰胺以及有机酸酰肼中的任一种。
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公开(公告)号：CN103229278A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201280003850.6
申请日：2012-01-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , C23F4/00 , H01J27/02 , H01J37/317 , H01L21/3213
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/08 , C23F4/00 , H01J27/026 , H01J37/08 , H01J37/3056 , H01J37/317 , H01J2237/0812 , H01J2237/3174 , H01L21/32136
摘要： 本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。
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公开(公告)号：CN1871696B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200480030737.2
申请日：2004-11-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02362 , H01L21/31612 , H01L21/31695 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
摘要： 在CVD装置(111)中，通过加热器加热半导体晶片(W)，然后导入1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)，并在不施加高频电压的情况下进行热处理，从而进行包含硅的多孔低介电常数膜的改性处理。接着，在同一CVD装置(111)中加热半导体晶片(W)，然后导入TMCTS并施加高频电压，从而生成包含TMCTS的气体的等离子体，并在多孔低介电常数膜上形成高密度、高硬度的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101506949A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031448.8
申请日：2007-08-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。
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公开(公告)号：CN101120436A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680005022.0
申请日：2006-02-15
申请人： 株式会社爱发科 , 三井化学株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , C01B33/12 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76826 , C01B33/12 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02214 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31608 , H01L21/31695 , Y10T428/249994
摘要： 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102473616A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031692.6
申请日：2010-07-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/02 , C23C16/0236 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/405 , H01L21/28556 , H01L21/76849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了对在表面暴露有使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜的成膜方法。该成膜方法具备在使用铜的配线上，利用使用了锰化合物的CVD法形成含锰膜的工序(步骤2)。
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公开(公告)号：CN101496147B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780028267.X
申请日：2007-07-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/76826 , C23C16/56 , H01L21/02068 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/67109 , H01L21/76828 , H01L21/76883
摘要： 本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有low-k膜和配线膜的晶片(W)收容在热处理炉(41)内的工序；利用质量流量控制器(44d)对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉(41)内供给的工序；和利用设置在热处理炉(41)中的加热器(41b)对供给气相醋酸酐后的热处理炉(41)内的晶片(W)进行加热的工序。
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公开(公告)号：CN101495673B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780028337.1
申请日：2007-07-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 三好秀典
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/045 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76873
摘要： 本发明涉及一种CVD成膜方法和CVD成膜装置。在腔室(21)内的基座(22)上配置晶片(W)，向腔室(121)内连续供给来自气体供给机构(50)的金属化合物气体供给部(51)的金属化合物气体和来自气体供给机构(50)的还原性有机化合物气体供给部(52)的还原性有机化合物气体，由此在晶片(W)的表面形成金属膜。
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公开(公告)号：CN101495673A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028337.1
申请日：2007-07-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 三好秀典
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/045 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76873
摘要： 本发明涉及一种CVD成膜方法和CVD成膜装置。在腔室(21)内的基座(22)上配置晶片(W)，向腔室(121)内连续供给来自气体供给机构(50)的金属化合物气体供给部(51)的金属化合物气体和来自气体供给机构(50)的还原性有机化合物气体供给部(52)的还原性有机化合物气体，由此在晶片(W)的表面形成金属膜。
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