基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

发明公开

CN101506949A 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质失效 - 权利终止

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专利标题： 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质
专利标题（英）： Apparatus and method for processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
申请号： CN200780031448.8

申请日： 2007-08-10
公开(公告)号： CN101506949A

公开(公告)日： 2009-08-12
发明人: 三好秀典 , 石川健治 , 立石秀树 , 林雅一 , 西川伸之
申请人： 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
代理商 龙淳
优先权： 228126/2006 2006.08.24 JP; 149614/2007 2007.06.05 JP
国际申请： PCT/JP2007/065759 2007.08.10
国际公布： WO2008/023585 JA 2008.02.28
进入国家日期： 2009-02-24
主分类号： H01L21/302
IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/52

摘要：

本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。

摘要（英）：

A method of treating a substrate, comprising the first step of setting a substrate with metal layer to be treated to a first temperature so that a treating gas containing an organic compound is adsorbed on the metal layer to thereby form a metal complex, and the second step of heating the substrate at a second temperature higher than the first temperature to thereby sublime the metal complex.

公开/授权文献

CN101506949B 基板处理方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置公开/授权日：2012-06-27

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割