公开(公告)号：CN101882566B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010205234.1

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  石川健治 ,  立石秀树 ,  林雅一 ,  西川伸之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属附着物的除去方法，其特征在于：该方法用于除去附着于处理容器的内部的金属附着物，该处理容器在内部具有对形成有金属层的被处理基板进行处理的处理空间，控制所述处理容器内部的温度和所述处理空间的压力以使所述金属附着物升华。

公开(公告)号：CN101506949A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031448.8

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  石川健治 ,  立石秀树 ,  林雅一 ,  西川伸之

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。

公开(公告)号：CN101506949B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780031448.8

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  石川健治 ,  立石秀树 ,  林雅一 ,  西川伸之

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。

公开(公告)号：CN101882566A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010205234.1

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  石川健治 ,  立石秀树 ,  林雅一 ,  西川伸之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属附着物的除去方法，其特征在于：该方法用于除去附着于处理容器的内部的金属附着物，该处理容器在内部具有对形成有金属层的被处理基板进行处理的处理空间，控制所述处理容器内部的温度和所述处理空间的压力以使所述金属附着物升华。