公开(公告)号：CN103229278A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201280003850.6

申请日：2012-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 军司勋男 ,  三好秀典 ,  原谦一

IPC: H01L21/302 ,  C23F4/00 ,  H01J27/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F4/00 ,  H01J27/026 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/32136

Abstract: 本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。

公开(公告)号：CN103081089A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041390.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早川崇 ,  原谦一 ,  田中崇

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法具备：在Cu隔离膜（100）上形成铜膜（101）的工序；在铜膜（101）上形成掩模件（102）的工序；将掩模件（102）用作掩模，将铜膜（101）各向异性地蚀刻至Cu隔离膜（100）露出的工序；和将掩模件（102）去除后，在被各向异性地蚀刻了的铜膜（101）上，采用利用了对铜膜（101）具有催化作用、对Cu隔离膜（100）没有催化作用的选择析出现象的无电镀法，形成含有抑制铜扩散的物质的镀膜（104）的工序。

公开(公告)号：CN103069547A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180041358.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原谦一 ,  早川崇

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76886 ,  C23F4/00 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明具备将表面上形成有掩模材料（102）的铜膜（101）的周围设为有机化合物气体（22）气氛的工序和在有机化合物气体（22）气氛中，将掩模材料（102）作为掩模，对铜膜（101）照射氧离子（6）而各向异性蚀刻铜膜（101）的工序。

公开(公告)号：CN103314432A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201280005143.0

申请日：2012-01-13

Applicant: 国立大学法人山梨大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤孝正 ,  成岛正树 ,  原谦一

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C24/02 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成方法中，利用电场使含有元素的原料溶液作为微粒飞散于处理空间，使飞散的上述微粒附着于被处理体的表面而形成薄膜。由此，即使在大气压气氛下也能够形成结晶性良好的光电转换元件用薄膜。

公开(公告)号：CN103021834A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210349953.X

申请日：2012-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本国兵库县

Inventor： 原谦一 ,  山田公 ,  丰田纪章 ,  早川崇

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻方法、蚀刻装置及存储媒体。本发明的课题在于，以高蚀刻速率对铜进行各向异性蚀刻，而不会使步骤及装置构成变得繁杂。本发明提供一种蚀刻方法，该蚀刻方法是在腔室内配置表面具有铜膜的基板，使腔室内成为真空状态，且向腔室内供给有机化合物，对铜膜照射氧气团簇离子束，利用氧气团簇离子束中的氧气团簇离子使铜膜的铜氧化而成为氧化铜，并且使氧化铜与有机化合物反应而对铜膜进行各向异性蚀刻。

公开(公告)号：CN1769520A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510109236.X

申请日：2005-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 定免美保 ,  原谦一

IPC: C23C18/16

CPC classification number: C23C18/1619

Abstract: 本发明提供无电解电镀装置。在无电解电镀液中包含含有金属盐的第一药液和含有还原剂的第二药液。在各药液供给管的合流处附近分别设置有药液用开关单元，同时在第一和第二药液合流的无电解电镀液供给管的排出口附近设置了电镀液开关单元。被上述开关单元围绕的所述无电电镀供给管内的电镀液等于在一块基板上进行无电镀处理所需要的排出量。再者，两种药液的混合只在一块基板的电镀工序开始后到下一块基板的电镀开始前的时间内进行。