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公开(公告)号:CN103415646B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201280009871.9
申请日:2012-02-20
申请人: CTF太阳能有限公司
CPC分类号: H01L31/18 , C03C17/002 , C03C17/09 , C23C14/541 , C23C14/56 , C23C14/568 , C23C16/46 , H01L21/02422 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02617 , H01L21/67109 , H01L21/67706 , H01L21/6776 , H01L31/1828 , H01L31/1876 , H01L31/1892 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要: 本发明介绍了一种方法和一种设备,用于涂覆板状基材,特别是涂覆用于制造太阳能电池的玻璃基材。该方法包括,在传输轴上运动穿过加热室和涂层室的基材在顶侧和底侧上不同强度地受到加热,从而可以提高涂层温度,而基材不会由于软化而不再可加工。描述了一种设备,其适用于实施该方法,并且加热室和涂层室具有独立的加热系统以及传输系统。
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公开(公告)号:CN105390393A
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201510526900.4
申请日:2015-08-25
申请人: 新能光电科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号: C01B19/04 , B05D3/007 , B05D7/50 , C01B19/007 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02667 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/1828 , H01L31/1836 , H01L31/1872 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521 , H01L21/324 , H01L21/02521
摘要: 本发明提供一种热处理方法,尤其是一种于前驱物上直接覆盖保护层以增进衬底上各处热处理条件的一致性及提升所得的产品层良率的热处理方法。本发明的方法包含:(1)提供衬底;(2)将前驱物施加至所述的衬底表面上;(3)将保护层覆盖于经施加所述前驱物的所述衬底上,使其与所述前驱物直接接触;(4)将步骤(3)所得衬底的整体置于加热腔体中,进行热处理;及(5)移除所述保护层。本发明亦提供一种以所述热处理方法制得的产物。
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公开(公告)号:CN104053811A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201280056744.4
申请日:2012-11-07
申请人: 第一太阳能有限公司
CPC分类号: H01L31/1828 , C23C14/228 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/56 , C23C16/448 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L31/02963 , H01L31/046 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要: 一种改进的用于持续气相传输沉积的方法和给料器系统,所述给料器系统包括通过改进的密封件结合到共同的分配器的至少两个蒸发器,以用于分别蒸发和收集至少任何两种可蒸发材料,以使材料在基底上沉积为材料层。多个蒸发器提供冗余操作并允许在蒸发器维修和修理期间持续沉积。
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公开(公告)号:CN103314432A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201280005143.0
申请日:2012-01-13
申请人: 国立大学法人山梨大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/368 , H01L31/04
CPC分类号: H01L21/02617 , C23C24/02 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/18 , H01L31/1828 , H01L31/20 , Y02E10/541 , Y02E10/543
摘要: 在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成方法中,利用电场使含有元素的原料溶液作为微粒飞散于处理空间,使飞散的上述微粒附着于被处理体的表面而形成薄膜。由此,即使在大气压气氛下也能够形成结晶性良好的光电转换元件用薄膜。
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公开(公告)号:CN103081127A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180042753.3
申请日:2011-02-09
申请人: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC分类号: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
摘要: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯),也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止,对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果,可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号:CN101367756B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN200810125876.3
申请日:2008-04-24
申请人: 气体产品与化学公司
IPC分类号: C07C395/00 , C23C16/30
CPC分类号: C23C16/06 , C01B19/002 , C07B59/004 , C07B2200/05 , C07C395/00 , C23C16/305 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02365 , H01L21/02562 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616
摘要: 说明书中公开了用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体,特别是含碲(Te)前驱体、含Te硫属元素化物相变材料。说明书中还公开了使用ALD、CVD或循环CVD法制造含Te硫属元素化物相变材料的方法,其中至少一种公开的含碲(Te)前驱体引入该方法。
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公开(公告)号:CN102677004A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210081556.9
申请日:2012-03-14
申请人: 初星太阳能公司
发明人: R·W·布莱克
CPC分类号: C23C14/568 , C23C14/50 , H01L21/02425 , H01L21/02474 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/6776 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及用于在光伏模块衬底上薄膜层的高速沉积的系统和方法,具体而言,提供了用于将靶标源材料作为薄膜顺序溅射沉积在光伏模块衬底上的装置和方法。该装置包括第一溅射沉积室和第二溅射沉积室,它们一体地连接,使得被运送通过该装置的衬底被保持在小于大约760Torr的系统压力下。加载真空室连接到配置成将加载真空室内的压力降低到初始加载压力的加载真空泵上。第一溅射沉积室包括第一靶标,而第二溅射沉积室包括第二靶标。输送机系统可操作地设置在该装置内,并配置成以连续布置在受控的速度下将衬底运送进入并通过加载真空室,进入并通过第一溅射沉积室,且进入并通过第二溅射沉积室。
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公开(公告)号:CN102144279A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200980134490.1
申请日:2009-09-03
申请人: 爱默蕾大学
发明人: 安德鲁·史密斯 , 书明·聂 , 布莱德·A·凯尔道夫
CPC分类号: B82Y10/00 , C01B19/007 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C09K11/025 , C09K11/883 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02601
摘要: 本公开内容的实施方式提供了制造量子点的方法、量子点以及类似物。
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公开(公告)号:CN102067324A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200880105135.7
申请日:2008-07-18
申请人: 加利福尼亚技术学院
IPC分类号: H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC分类号: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/22 , Y10S438/962
摘要: 一种由嵌入在粘合剂材料中的良序半导体结构组成的结构,所述粘合剂材料保持所述半导体结构的次序和取向。用于形成这种结构的方法包括在衬底上形成半导体结构,将粘合剂材料涂布到所述衬底上以在所述粘合剂材料中嵌入所述半导体材料,以及在所述衬底处将所述粘合剂材料从所述衬底分离。这些方法为保持分离的粘合剂材料中的高度有序的半导体的取向和次序做准备。
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公开(公告)号:CN101884119A
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200880118729.1
申请日:2008-09-17
CPC分类号: H01L31/1828 , C23C14/0629 , C23C14/30 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , Y02E10/543
摘要: 本发明涉及一种用于制备太阳能电池的方法,该太阳能电池包括支撑体、硫化镉(CdS)层、碲化镉(CdTe)层、透明导电氧化物(TCO)层、导电金属层和任选的缓冲材料层,CdS层和CdTe层通过脉冲等离子沉积(PPD)方法沉积。本发明还涉及一种能通过所述方法得到的太阳能电池。
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