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公开(公告)号：CN107056610A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710447537.6
申请日：2017-06-14
申请人： 黑龙江省科学院微生物研究所
IPC分类号： C07C67/08 , C07C69/145
CPC分类号： C07C395/00 , C07B2200/09 , C07C67/08 , C07D309/12 , C07C69/145
摘要： 斜纹夜蛾性信息素的合成方法，一种昆虫性信息素的合成方法。是要解决现有方法使用昂贵的催化剂，步骤较长，不利于大规模生产，且纯度低的问题。方法：一、(Z,E)构型的烯基碲试剂的合成；二、将(Z,E)构型的烯基碲试剂溶于无水四氢呋喃中，加入NaH反应，层析，纯化得产物B；三、将无水四氢呋喃与产物B混合，加有机铜试剂和乙酸酐，减压，层析，纯化得产物C；四、将产物C溶解于无水四氢呋喃中，滴入格氏试剂和Li2CuCl4，萃取，洗涤干燥，层析，纯化，即得到斜纹夜蛾性信息素。制得的斜纹夜蛾性信息素的纯度达到99.5％，总收率达到73.4％，基本不存在反反构型，具有高活性。本发明用于合成昆虫性信息素。
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公开(公告)号：CN103590017A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310353853.9
申请日：2013-08-13
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C07F9/902 , C07C395/00 , C07F9/94 , C23C16/305 , C23C16/45553 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616
摘要： 本发明是一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗-锑-碲合金(GST)或锗-铋-碲(GBT)薄膜的方法，其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。本发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金，其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。
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公开(公告)号：CN107924123A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049043.6
申请日：2016-08-23
申请人： 学校法人关西大学 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： G03F7/004 , C07C395/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C395/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种包含含有碲的化合物或含有碲的树脂的光刻用材料以及其的制造方法、光刻用组合物、图案形成方法、以及、化合物、树脂、以及它们的纯化方法。
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公开(公告)号：CN103590017B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310353853.9
申请日：2013-08-13
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C07F9/902 , C07C395/00 , C07F9/94 , C23C16/305 , C23C16/45553 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616
摘要： 本发明是一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗?锑?碲合金(GST)或锗?铋?碲(GBT)薄膜的方法，其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。本发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金，其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。
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公开(公告)号：CN1820030B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480004367.5
申请日：2004-02-17
申请人： 大塚化学株式会社
IPC分类号： C08F4/00
CPC分类号： C07C395/00 , C08F4/04 , C08F4/42
摘要： 一种活性自由基聚合物的制造方法，其特征在于使用式(1)所示的有机碲化合物、偶氮类聚合引发剂聚合乙烯基单体；以及能够通过该方法得到的活性自由基聚合物。式中，R1表示C1～C8烷基、芳基、取代芳基或芳族杂环基。R2及R3表示氢原子或C1～C8烷基。R4表示芳基、取代芳基、芳族杂环基、酰基、氧羰基或氰基。
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公开(公告)号：CN1584108A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410055267.7
申请日：2004-04-05
申请人： 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司
发明人： D·V·舍奈-卡特喀特 , M·B·鲍尔
IPC分类号： C23C16/18
CPC分类号： C23C16/28 , C07C391/00 , C07C395/00 , C07F7/0807 , C07F7/0827 , C07F7/30 , C23C16/18
摘要： 提供适合用于含IV族金属薄膜气相沉积前体的有机金属化合物。还提供使用某些有机金属前体沉积含IV族金属薄膜的方法。这种含IV族金属的薄膜尤其可用于电子器件的制造。
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公开(公告)号：CN109073782A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026526.9
申请日：2017-04-28
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： G02B1/04 , C07C395/00 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： C07C395/00 , G02B1/04 , G03F7/038 , G03F7/039
摘要： 一种包含含有碲的化合物或含有碲的树脂的光学元件形成组合物。
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公开(公告)号：CN106966938A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710164728.1
申请日：2017-03-20
申请人： 广东先导稀材股份有限公司
IPC分类号： C07C395/00
CPC分类号： C07C395/00
摘要： 本发明提供了一种高纯二乙基碲的制备方法，包括以下步骤：S1：在保护性气体氛围下，将四氯化碲溶液冷却至‑20℃~‑70℃，向其滴加乙基卤代镁，滴加完毕后，升温至‑60~0℃，搅拌反应1~5h，再升温至10~30℃，继续搅拌1~5h，制备得到二乙基碲混合物；S2：在保护性气体氛围下，使二乙基碲混合物依次经过一次蒸馏、二次蒸馏、减压精馏，得到纯度为5N以上的二乙基碲；所述四氯化碲溶液为四氯化碲溶于有机溶剂形成的有机溶液。本发明操作简单，粗品二乙基碲的产率高，经提纯后的二乙基碲的纯度达5N以上，生产方法安全高效。
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公开(公告)号：CN102395528A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016721.1
申请日：2010-03-24
申请人： 美光科技公司
发明人： 斯特凡·乌伦布罗克
IPC分类号： C01B19/00
CPC分类号： C07C395/00
摘要： 本发明揭示一种形成碲烷氧化物的方法，其包括提供存于液体有机溶剂中的碲卤化物和非碲烷氧化物。所述液体有机溶剂具有若存在则摩尔数少于存于所述液体有机溶剂中的碲卤化物的摩尔数的醇。使存于所述液体有机溶剂内的所述碲卤化物与所述非碲烷氧化物反应以形成反应产物卤化物和碲烷氧化物。从所述反应产物卤化物和所述碲烷氧化物移除所述液体有机溶剂以留下包含所述反应产物卤化物和所述碲烷氧化物的液体和/或固体混合物。有效加热所述混合物以便从所述反应产物卤化物气化所述碲烷氧化物。本发明还揭示其它实施方案，包括形成混合的碲卤化物-烷氧化物的方法。
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公开(公告)号：CN1820030A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480004367.5
申请日：2004-02-17
申请人： 大塚化学株式会社
IPC分类号： C08F4/00
CPC分类号： C07C395/00 , C08F4/04 , C08F4/42
摘要： 一种活性自由基聚合物的制造方法，其特征在于使用式(1)所示的有机碲化合物、偶氮类聚合引发剂聚合乙烯基单体；以及能够通过该方法得到的活性自由基聚合物。式中，R1表示C1～C8烷基、芳基、取代芳基或芳族杂环基。R2及R3表示氢原子或C1～C8烷基。R4表示芳基、取代芳基、芳族杂环基、酰基、氧羰基或氰基。
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