公开(公告)号：CN103590017A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310353853.9

申请日：2013-08-13

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 萧满超 ,  I·布坎南 ,  雷新建

IPC: C23C16/30 ,  C07F7/30 ,  C07F9/90

CPC classification number: C07F9/902 ,  C07C395/00 ,  C07F9/94 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明是一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗-锑-碲合金(GST)或锗-铋-碲(GBT)薄膜的方法，其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。本发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金，其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。

公开(公告)号：CN103590017B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310353853.9

申请日：2013-08-13

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 萧满超 ,  I·布坎南 ,  雷新建

IPC: C23C16/30 ,  C07F7/30 ,  C07F9/90

CPC classification number: C07F9/902 ,  C07C395/00 ,  C07F9/94 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明是一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗?锑?碲合金(GST)或锗?铋?碲(GBT)薄膜的方法，其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。本发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金，其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。