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公开(公告)号：CN104716218A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310745979.0
申请日：2013-12-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02557 , H01L21/02576 , H01L21/02628 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供的太阳能电池，包括：基板；电极层，位于基板上；p型吸光层，位于电极层上；n型ZnS层，位于p型吸光层上；以及透明电极层，位于n型ZnS层上。将基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中，可形成n型ZnS层于该基板上。
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公开(公告)号：CN102447008A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110310788.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L21/02557 , H01L21/02472 , H01L21/02474 , H01L21/0251 , H01L21/02554 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/1836 , H01L31/1864 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包括：在包括氧的环境内提供包括半导体材料的靶；对该靶施加多个直流脉冲以形成脉冲直流等离子体；用该脉冲直流等离子体溅射该靶以将包括镉和硫的材料喷入该等离子体；以及将包括该材料的膜沉积到衬底上。该靶包括半导体材料，其中包括含镉和硫的半导体材料。
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公开(公告)号：CN102044632A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010503960.1
申请日：2010-09-30
Applicant: 思阳公司
Inventor： 罗伯特D·维廷
IPC: H01L51/48
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C16/407 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供了用于CIGS电池的氧化锌膜方法和结构。本发明的用于制造薄膜光电器件的方法包括：提供包括吸收层和覆盖的窗口层的基板。将基板装载到室中并经受真空环境。真空环境处于从0.1托到约0.02托范围内的压力下。在一个具体实施方式中，将来源于二乙基锌物质、水物质的反应物物质和载气的混合物引入到室中。该方法进一步利用选择的流速将乙硼烷物质引入到反应物物质的混合物中。利用所述选择的流速形成氧化锌膜覆盖在窗口层之上以限定透明导电氧化物以提供约2.5毫欧-cm和更小的电阻率和约3000埃到5000埃的平均粒度。
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公开(公告)号：CN107819078B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710820556.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 乐金显示有限公司
CPC classification number: H01L31/035209 , C08K3/28 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/0811 , C09K11/56 , C09K11/883 , G02B5/3025 , G02B6/0056 , G02F1/1335 , G02F1/3556 , G02F2001/01791 , G02F2202/36 , G09F9/30 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L51/0094 , H01L51/5203
Abstract: 量子棒、量子棒的合成方法和量子棒显示装置。量子棒包括：核；覆盖所述核的第一壳；以及覆盖所述第一壳的侧面的第二壳。在该量子棒中，所述第一壳的第一厚度大于所述第二壳的第二厚度，并且所述第一壳的第一长度小于所述第二壳的第二长度。
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公开(公告)号：CN105144402A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480015130.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 纳米技术有限公司
Inventor： 斯蒂芬·怀特莱格
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/02568 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 在本文中所公开的是置于基板上的CIGS系光子吸收层。所述光子吸收层可用于光伏器件中。所述光子吸收层由具有经验式AB1-xB’xC2-yC’y的半导体材料制成，其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B’独立地为Al、In或Ga；C和C’独立地为S或Se，并且其中0≤x≤1；且0≤y≤2。所述半导体材料的粒度和所述半导体材料的组成二者均作为沿着所述层的深度的函数而变化。在本文中所描述的层展现出改善的光伏性能，包括增加的分流电阻和减小的背面电荷载流子复合。
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公开(公告)号：CN102044632B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201010503960.1
申请日：2010-09-30
Applicant: 思阳公司
Inventor： 罗伯特D·维廷
IPC: H01L51/48
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C16/407 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供了用于CIGS电池的氧化锌膜方法和结构。本发明的用于制造薄膜光电器件的方法包括：提供包括吸收层和覆盖的窗口层的基板。将基板装载到室中并经受真空环境。真空环境处于从0.1托到约0.02托范围内的压力下。在一个具体实施方式中，将来源于二乙基锌物质、水物质的反应物物质和载气的混合物引入到室中。该方法进一步利用选择的流速将乙硼烷物质引入到反应物物质的混合物中。利用所述选择的流速形成氧化锌膜覆盖在窗口层之上以限定透明导电氧化物以提供约2.5毫欧-cm和更小的电阻率和约3000埃到5000埃的平均粒度。
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公开(公告)号：CN102677004A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210081556.9
申请日：2012-03-14
Applicant: 初星太阳能公司
Inventor： R·W·布莱克
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/50 , H01L21/02425 , H01L21/02474 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/6776 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及用于在光伏模块衬底上薄膜层的高速沉积的系统和方法，具体而言，提供了用于将靶标源材料作为薄膜顺序溅射沉积在光伏模块衬底上的装置和方法。该装置包括第一溅射沉积室和第二溅射沉积室，它们一体地连接，使得被运送通过该装置的衬底被保持在小于大约760Torr的系统压力下。加载真空室连接到配置成将加载真空室内的压力降低到初始加载压力的加载真空泵上。第一溅射沉积室包括第一靶标，而第二溅射沉积室包括第二靶标。输送机系统可操作地设置在该装置内，并配置成以连续布置在受控的速度下将衬底运送进入并通过加载真空室，进入并通过第一溅射沉积室，且进入并通过第二溅射沉积室。
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公开(公告)号：CN1034455C
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN93105939.9
申请日：1993-05-21
Applicant: 明尼苏达州采矿制造公司
Inventor： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC classification number: H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02491 , H01L21/02507 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01L2924/00
Abstract: 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。
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公开(公告)号：CN104716218B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310745979.0
申请日：2013-12-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02557 , H01L21/02576 , H01L21/02628 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供的太阳能电池，包括：基板；电极层，位于基板上；p型吸光层，位于电极层上；n型ZnS层，位于p型吸光层上；以及透明电极层，位于n型ZnS层上。将基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中，可形成n型ZnS层于该基板上。
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公开(公告)号：CN103329245B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180065251.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 第一太阳能有限公司
CPC classification number: H01L31/1836 , H01L21/02474 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02562 , H01L21/02587 , H01L21/02631 , H01L31/022441 , H01L31/022466
Abstract: 总的来说，光伏模块可以包括由二元半导体源的富含一种组分的蒸气形成的二元半导体层。
