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公开(公告)号：CN102460215B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN102460215A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN103081127A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号：CN101952966B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN103081127B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101952966A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN104779261A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510019150.1
申请日：2015-01-14
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/146 , G01T1/24
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14658 , H01L27/14661 , H01L27/14696 , H01L31/022408 , H01L31/0296
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器。在X射线条状检测器中，在感应所入射的X射线并生成电荷的感应半导体膜的X条侧和Y条侧的面的、至少转换膜的整个敏感区域的整面上形成有接合用半导体膜。接合用半导体膜的电阻比感应半导体膜的电阻高。因此，当由感应半导体膜生成的电荷被X条和Y条收集时，能够分别抑制电荷向相邻的条状电极移动。因而，能够抑制电荷向相邻的条状电极漏出的串扰。
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公开(公告)号：CN102413763B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980158928.X
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 在本发明的放射线摄像装置中，改变在电容器中蓄积将利用X射线转换层对起因于流经X射线转换层的暗电流的暗电流噪声进行转换而得到的电荷信号的时间来获得暗图像信号，由此能够得到暗电流噪声的准确的温度特性。由此，从进行X射线摄像时得到的X射线检测信号中去除周期性地获取到的偏置信号，并且使用暗电流噪声的温度特性进行基于获取偏置信号时与进行X射线摄像时的温度差的暗电流噪声的变化量的校正，从而能够高精度地去除起因于暗电流的噪声。
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公开(公告)号：CN107106101A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070501.X
申请日：2015-11-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 提供一种能够可靠地检测自身像来使物体的内部构造详细地成像的放射线相位差摄影装置。根据本发明的结构，FPD(4)的检测面的纵向相对于相位光栅(5)中的吸收体的延伸方向倾斜。于是，拍进自身像的条纹图案的位置(相位)根据检测面的位置的不同而不同。因而，认为能够实现与进行检测面上的拍进自身像的位置互不相同的多次摄影来获得多个自身像相同的效果。但是，如果仅这样的话，则被摄体的特定的位置处的自身像的相位固定为一个。因此，根据本发明的结构，设为一边改变摄像系统(3、4、5)与被摄体的相对位置一边进行摄影。
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公开(公告)号：CN102590844A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110400089.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/00 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及放射线摄影装置。驱动控制部根据有无像素合并、即在由栅极驱动电路每次多列地驱动开关元件的进行像素合并的情况和由栅极驱动电路每次一列地驱动开关元件的无像素合并的情况中，使由偏置电源对转换层施加的偏置电压改变。因此，在以像素合并的方式进行摄影的透视模式时，能够抑制动态范围的下降。另外，在无像素合并地进行摄影的摄影模式时，能够提高空间分辨率。即，能够与动作模式相应地使高的动态范围和空间分辨率最优化。
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