公开(公告)号：CN101646803B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880009952.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  横山敦 ,  田中利昌 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。

公开(公告)号：CN102112649A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129915.X

申请日：2009-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

公开(公告)号：CN101802257A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106580.5

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。

公开(公告)号：CN101065515A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040912.0

申请日：2005-10-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/16

Abstract: 本发明描述了用于与高传导率蒸汽传输系统相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)的可置换前驱体盘，其用于通过增大固态前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)被配置为耦合到薄膜沉积系统(1、100)的处理室(10、110)，并且包括基座盘(330)以及一个或多个可堆叠上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(370、370’)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN113774355A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110614529.2

申请日：2021-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 反田雄太 ,  齐藤哲也 ,  大仓成幸 ,  古屋雄一 ,  原正道

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相向地设置，具有用于喷出从气体供给部供给的包含成膜原料气体的气体的气体喷出区；以及过滤器，其以覆盖气体喷出构件的同与基板载置台相向的相向面相反一侧的面的至少气体喷出区的方式设置，所述过滤器使包含成膜原料气体的气体通过来捕获包含成膜原料气体的气体中的微粒。

公开(公告)号：CN101082125B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200610140313.2

申请日：2006-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。

公开(公告)号：CN101542016B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200880000148.8

申请日：2008-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  横山敦 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。

公开(公告)号：CN102112206A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130242.X

申请日：2009-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC: B01D53/64 ,  B01D53/62 ,  C23C16/44 ,  F27D17/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065

CPC classification number: F27D17/004 ,  B01D53/005 ,  B01D53/04 ,  B01D53/75 ,  B01D53/864 ,  B01D53/8668 ,  B01D53/869 ,  B01D2251/102 ,  B01D2255/20 ,  B01D2255/2045 ,  B01D2255/2047 ,  B01D2255/2073 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一种金属回收装置(66)，其从用由有机金属化合物原料形成的原料气体而在被处理体的表面上形成薄膜的处理容器(10)所排出的排气气体中回收金属成分，将排气气体进行除害。金属回收装置具有：捕集单元(80)，其具有捕集部件，所述捕集部件构成为，加热所述排气气体，使排气气体中含有的未反应的原料气体热分解，将原料气体中含有的金属成分附着；除害单元(82)，其具有氧化通过捕集单元的排气气体中含有的有害气体成分而进行除害的催化剂(100)。

公开(公告)号：CN101802976A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106639.0

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏 ,  山本薰

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。

公开(公告)号：CN101205605A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。