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公开(公告)号：CN1251311C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN02805383.4
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/482 , H01L21/31662 , H01L21/31683
Abstract: 一种半导体处理用紫外线辅助处理装置(10)，具有与载置台(11)对置的、设置于构成处理室(12)的壁上的、使紫外线透射的窗(20)。设有与窗(20)对置的、向处理室(12)外发出紫外线的光源(15)。用于向处理室(12)的内部供给处理气体的供给系统具有形成于窗(20)内部的、使处理气体通过的顶部空间(21)和用于排出处理气体的多个排气孔(22)。
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公开(公告)号：CN101082125B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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公开(公告)号：CN101205605A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610168334.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22
Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
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公开(公告)号：CN1511339A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02805383.4
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/482 , H01L21/31662 , H01L21/31683
Abstract: 一种半导体处理用紫外线辅助处理装置(10)，具有与载置台(11)对置的、设置于构成处理室(12)的壁上的、使紫外线透射的窗(20)。设有与窗(20)对置的、向处理室(12)外发出紫外线的光源(15)。用于向处理室(12)的内部供给处理气体的供给系统具有形成于窗(20)内部的、使处理气体通过的顶部空间(21)和用于排出处理气体的多个排气孔(22)。
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公开(公告)号：CN101680090B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880020847.9
申请日：2008-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 李一成
CPC classification number: H01L21/67126 , C23C16/4409
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置。在真空处理腔室(2)的盖体(3)，沿着成为气体流路的开口部的周缘形成有环状的槽(150)，在该槽(150)内设置有整体形状为环状(O形环状)且形成为双重结构的金属密封部件(140)。在盖体(3)，在槽(150)的外侧部分以包围槽(150)的周围的方式形成有环状凹部(160)。另一方面，在凸缘部(130)侧形成有与凹部(160)对应的环状凸部(170)，构成使凸部(170)嵌合在凹部(160)中的嵌合机构(180)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101205605B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610168334.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22
Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
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公开(公告)号：CN101680090A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020847.9
申请日：2008-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 李一成
CPC classification number: H01L21/67126 , C23C16/4409
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置。在真空处理腔室(2)的盖体(3)，沿着成为气体流路的开口部的周缘形成有环状的槽(150)，在该槽(150)内设置有整体形状为环状(O形环状)且形成为双重结构的金属密封部件(140)。在盖体(3)，在槽(150)的外侧部分以包围槽(150)的周围的方式形成有环状凹部(160)。另一方面，在凸缘部(130)侧形成有与凹部(160)对应的环状凸部(170)，构成使凸部(170)嵌合在凹部(160)中的嵌合机构(180)。
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公开(公告)号：CN101082125A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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公开(公告)号：CN300748120D
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200730009181.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Designer： 李一成
Abstract: 左视图与右视图对称，故省略左视图。
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公开(公告)号：CN300750773D
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200730009180.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Designer： 李一成
Abstract: 后视图与主视图对称，故省略后视图。
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