公开(公告)号：CN111417742A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880074074.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  石坂忠大 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。

公开(公告)号：CN107836034A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680040035.5

申请日：2016-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 尤凯鸿 ,  赫里特·J·勒斯因克 ,  考利·瓦吉达 ,  石坂忠大 ,  袴田隆宏

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53242

Abstract: 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。

公开(公告)号：CN100405549C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。

公开(公告)号：CN1706034A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001409.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  大岛康弘 ,  吉井直树 ,  重冈隆 ,  川村刚平 ,  福田幸夫 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/455

Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。

公开(公告)号：CN1531743A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN01816575.3

申请日：2001-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  小岛康彦 ,  石坂忠大

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109

Abstract: 将载置单晶片W并在内部具备加热器(22)的加热板(21)载置于在内部具备冷却介质室的冷却块(16)上。在冷却块(16)上设置贯穿其的气体导入管(33)。气体导入管(33)与加热板(21)和冷却块(16)的间隙(41)相连，可以将作为热传导气体的He气体供给至间隙(41)。另外，间隙(41)连接有气体吸引管(34)，可以吸引He气体。

公开(公告)号：CN111986990A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010413378.X

申请日：2020-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  石坂忠大 ,  森贞佳纪

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。

公开(公告)号：CN108074976A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711112450.X

申请日：2017-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。

公开(公告)号：CN102918633A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027424.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  佐久间隆 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  福岛利彦 ,  户岛宏至 ,  川又诚也 ,  水泽宁 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。

公开(公告)号：CN101384749B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780005070.4

申请日：2007-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐 ,  石坂忠大

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。

公开(公告)号：CN102165573A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138541.8

申请日：2009-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野茂 ,  弗兰克·M·切里奥 ,  石坂忠大

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864

Abstract: 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。