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公开(公告)号：CN100405549C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480001409.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C16/455
Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。
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公开(公告)号：CN1706034A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001409.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C16/455
Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。
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公开(公告)号：CN100572592C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580000371.9
申请日：2005-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。
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公开(公告)号：CN101006194A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000633.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76838 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。
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公开(公告)号：CN1826426A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200580000371.9
申请日：2005-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(Atomic Layer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H2作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101115864B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200680004339.2
申请日：2006-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/06 , C23C16/45529 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。
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公开(公告)号：CN101684547A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910205875.4
申请日：2005-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法，在基板上形成Cu膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用H 2 作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Cu膜的工序。由此可形成保形(conformal)良好膜质的Cu薄膜。
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公开(公告)号：CN100477119C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580037146.2
申请日：2005-10-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52 , C23C16/18 , C23C16/50 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76877 , C23C16/0272 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76846
Abstract: 本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。
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公开(公告)号：CN101053072A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001098.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0209 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/76838 , H01L21/76864
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。
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公开(公告)号：CN110088350B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201780075390.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷涂装置，具有：供给部，将喷涂材料的粉末用等离子体生成气体来运送，从前端部的开口进行喷射；等离子体生成部，利用500W～10kW的电力将喷射出的上述等离子体生成气体分解而生成等离子体；以及，腔室，使上述供给部和上述等离子体生成部成为封闭空间，利用在该封闭空间中生成的上述等离子体使上述喷涂材料的粉末熔融而成膜于对象物，其中，上述喷涂材料为锂(Li)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的任一者，上述喷涂材料的粉末为1μm～50μm的粒径。
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