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公开(公告)号：CN109256326B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810781542.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。由此，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。
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公开(公告)号：CN110088350A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780075390.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体喷涂装置，具有：供给部，将喷涂材料的粉末用等离子体生成气体来运送，从前端部的开口进行喷射；等离子体生成部，利用500W～10kW的电力将喷射出的上述等离子体生成气体分解而生成等离子体；以及，腔室，使上述供给部和上述等离子体生成部成为封闭空间，利用在该封闭空间中生成的上述等离子体使上述喷涂材料的粉末熔融而成膜于对象物，其中，上述喷涂材料为锂(Li)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的任一者，上述喷涂材料的粉末为1μm～50μm的粒径。
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公开(公告)号：CN103972132B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410035060.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C4/08 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101207062B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710181964.0
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。
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公开(公告)号：CN101173345A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710167281.X
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子量从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109256326A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810781542.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。由此，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。
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公开(公告)号：CN102965610B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110462982.2
申请日：2007-10-31
Applicant: 福吉米株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , Y10T428/2982
Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。
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公开(公告)号：CN103972132A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410035060.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C4/08 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN100508116C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710100693.1
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林义之
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , C23F4/00 , H01J37/32 , B01J19/02
CPC classification number: C23C4/18 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C26/00 , C23C28/042 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种能够提高用于在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻加工的腔室内的暴露于等离子体气氛的部位、构件和部件的耐久性，能够提高在腐蚀性气体气氛中、在部件等的表面上形成的膜的耐等离子体腐蚀性，而且，即使在高的等离子体输出下也能够防止产生腐蚀生成物的颗粒的等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的等离子体处理方法，作为解决手段，在利用蚀刻处理气体等离子体对收容在腔室内的被处理体表面进行加工的等离子体处理装置中，至少利用由金属氧化物构成的多孔质层和在该多孔质层上形成的该金属氧化物的二次再结晶层，覆盖该腔室的暴露于等离子体生成气氛的部位、设置在该腔室内的构件或部件的表面。
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公开(公告)号：CN101047140A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091343.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/6875
Abstract: 一种能够限制颗粒产生的基板传送装置。该基板传送装置(1)包括容纳晶片(W)的处理腔(12)、用于将晶片传送到处理腔中的传送臂(17)，和置于处理腔中并安装传送晶片的基座(45)。带有多个突起(55a)的静电夹盘(55)置于基座的上部内。带有多个用于保持晶片的突起(25a)的传送叉(25)置于传送臂的末端上。这些突起(25a)设置在传送叉(25)中以使突起(25a)的晶片保持部(81)与静电夹盘的突起(55a)的晶片保持部分(80)不同。
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